书目信息 |
| 题名： |
二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性
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| 作者： | 琚伟伟 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 化学工业出版社 2022.06 |
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| 页数： | 160页 | |
| 开本： | 21cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TB34 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 功能材料--gong neng cai liao | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-122-41385-7 | |
| 000 | 01213nam0 2200229 450 | |
| 001 | CAL 0120227458737 | |
| 010 | @a978-7-122-41385-7@dCNY49.00 | |
| 100 | @a20220906d2022 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性@Aer wei Ⅲ-Ⅵ zu hua he wu de zi xuan xiang guan te xing@f琚伟伟著 |
| 210 | @a北京@c化学工业出版社@d2022.06 | |
| 215 | @a160页@c图@d21cm | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法, 第3章介绍了二维NⅢXⅥ (N＝Ga, In ; X＝S, Se, Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控, 第4章介绍了极性XABY (A, B＝Ga, In ; X≠Y＝S, Se, Te) 中显著的Rashba自旋劈裂, 第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制, 第6章介绍了InSe/MTe2 (M＝Pd, Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性, 第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。 | |
| 606 | 0 | @a功能材料@Agong neng cai liao |
| 690 | @aTB34@v5 | |
| 701 | 0 | @a琚伟伟@Aju wei wei@4著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20220906 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTB34@eJ932-2@f2 | |
| 二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性/琚伟伟著.-北京：化学工业出版社，2022.06 |
| 160页：图；21cm |
| ISBN 978-7-122-41385-7：CNY49.00 |
| 本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法, 第3章介绍了二维NⅢXⅥ (N＝Ga, In ; X＝S, Se, Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控, 第4章介绍了极性XABY (A, B＝Ga, In ; X≠Y＝S, Se, Te) 中显著的Rashba自旋劈裂, 第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制, 第6章介绍了InSe/MTe2 (M＝Pd, Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性, 第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。 |
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正题名：二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性
索取号：TB34/J932-2
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