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@a本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法, 第3章介绍了二维NⅢXⅥ (N＝Ga, In ; X＝S, Se, Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控, 第4章介绍了极性XABY (A, B＝Ga, In ; X≠Y＝S, Se, Te) 中显著的Rashba自旋劈裂, 第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制, 第6章介绍了InSe/MTe2 (M＝Pd, Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性, 第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。
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| 二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性/琚伟伟著.-北京：化学工业出版社，2022.06 |
| 160页：图；21cm |
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| ISBN 978-7-122-41385-7：CNY49.00 |
| 本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法, 第3章介绍了二维NⅢXⅥ (N＝Ga, In ; X＝S, Se, Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控, 第4章介绍了极性XABY (A, B＝Ga, In ; X≠Y＝S, Se, Te) 中显著的Rashba自旋劈裂, 第5章介绍了Ⅱ型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制, 第6章介绍了InSe/MTe2 (M＝Pd, Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性, 第7章介绍了InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。 |
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正题名：二维Ⅲ-Ⅵ族化合物的自旋相关特性
索取号：TB34/J932-2
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1566918
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215669186
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自科库501/501自科库 13排4列2层/
[索取号:TB34/J932-2]
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在馆
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2
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1566919
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215669195
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自科库501/501自科库 13排4列2层/
[索取号:TB34/J932-2]
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在馆
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