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@ a模拟CMOS集成电路设计@ Amo ni CMOS ji cheng dian lu she ji@ f(美) 毕查德·拉扎维著@ F( mei ) bi cha de· la zha wei zhu@ d= Design of analog CMOS integrated circuits@ fBehzad Razavi@ g陈贵灿 ... [等] 译@ zeng
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@ a本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材, 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计, 着重讲解该技术的最新进展和设计实例, 从MOSFET器件的基本物理特性开始, 逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。
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模拟CMOS集成电路设计/(美) 毕查德·拉扎维著= Design of analog CMOS integrated circuits/Behzad Razavi/陈贵灿 ... [等] 译.-第2版.-西安：西安交通大学出版社，2018.12 XIV, 10, 724页：图；26cm 国外名校最新教材精选 ISBN 978-7-5693-0992-8：CNY138.00 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材, 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计, 着重讲解该技术的最新进展和设计实例, 从MOSFET器件的基本物理特性开始, 逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 ●
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1414835
214148359
自科库301/301自科库 28排1列4层/
[索取号:TN432.02/L019=2]
在馆
