书目信息 |
| 题名： |
模拟CMOS集成电路设计
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| 作者： | 拉扎维 著 ；陈贵灿 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 西安 西安交通大学出版社 2018.12 |
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| 页数： | XIV, 10, 724页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432.02 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | CMOS电路--CMOS dian lu--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-5693-0992-8 | |
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| 306 | @a由麦格希 (亚洲) 教育出版公司和西安交通大学出版社合作出版 | |
| 320 | @a有书目和索引 | |
| 330 | @a本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材, 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计, 着重讲解该技术的最新进展和设计实例, 从MOSFET器件的基本物理特性开始, 逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 | |
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| 模拟CMOS集成电路设计/(美) 毕查德·拉扎维著= Design of analog CMOS integrated circuits/Behzad Razavi/陈贵灿 ... [等] 译.-第2版.-西安：西安交通大学出版社，2018.12 |
| XIV, 10, 724页：图；26cm |
| 国外名校最新教材精选 |
| ISBN 978-7-5693-0992-8：CNY138.00 |
| 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材, 介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计, 着重讲解该技术的最新进展和设计实例, 从MOSFET器件的基本物理特性开始, 逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
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正题名：模拟CMOS集成电路设计
索取号：TN432.02/L019=2
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