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@a太阳能电池的硅晶体生长@Atai yang neng dian chi de gui jing ti sheng zhang@d= Crystal growth of silicon for solar cells@f(日) 中岛一雄, 宇佐美德隆编@g高扬译@zeng
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@a21世纪新能源·新型太阳能电池译丛@A21 shi ji xin neng yuan · xin xing tai yang neng dian chi yi cong
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@a有书目和索引
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@a本书首先论述了制备硅原料的冶金级硅方法、西门子法和冶金法, 然后讨论了生产单晶硅棒的切克劳斯基法和区熔法、生长多晶硅铸锭的定向凝固法、铸造单晶硅技术以及多晶硅铸锭的亚晶界问题, 再论述了可以替代硅片的带硅和球形硅技术, 解释了制备晶体硅薄膜太阳能电池的液相外延法、气相外延法、闪光灯退火、铝诱导层交换, 最后提供了制备太阳能级硅所需的热化学和动力学数据库。
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@12001 @a21世纪新能源·新型太阳能电池译丛
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@a高扬@Agao yang@4译
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@a河南城建学院图书馆@dTM914.4@eZ494@f2
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| 太阳能电池的硅晶体生长= Crystal growth of silicon for solar cells/(日) 中岛一雄, 宇佐美德隆编/高扬译.-上海：上海交通大学出版社，2018.04 |
| 276页：图；27cm.-(21世纪新能源·新型太阳能电池译丛) |
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| ISBN 978-7-313-19048-2：CNY88.00 |
| 本书首先论述了制备硅原料的冶金级硅方法、西门子法和冶金法, 然后讨论了生产单晶硅棒的切克劳斯基法和区熔法、生长多晶硅铸锭的定向凝固法、铸造单晶硅技术以及多晶硅铸锭的亚晶界问题, 再论述了可以替代硅片的带硅和球形硅技术, 解释了制备晶体硅薄膜太阳能电池的液相外延法、气相外延法、闪光灯退火、铝诱导层交换, 最后提供了制备太阳能级硅所需的热化学和动力学数据库。 |
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正题名：太阳能电池的硅晶体生长
索取号：TM914.4/Z494
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1387826
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213878268
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自科库301/301自科库 20排3列1层/
[索取号:TM914.4/Z494]
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在馆
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2
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1387827
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213878277
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自科库301/301自科库 14排1列2层/
[索取号:TM914.4/Z494]
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在馆
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