书目信息 |
题名: |
微电子器件基础
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作者: | 王颖 , 宋延兴 , 康大为 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 电子工业出版社 2024.04 |
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页数: | 304页 | |
开本: | 26cm | |
丛书名: | 集成电路科学与工程系列教材 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN4 | |
科图分类: | ||
主题词: | 微电子技术--wei dian zi ji shu--电子器件--高等学校--教材 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-121-47739-3 |
000 | 01505nam 2200313 450 | |
001 | 2437741528 | |
010 | @a978-7-121-47739-3@dCNY59.80 | |
100 | @a20240718d2024 em y0chiy0120 ea | |
101 | 0 | @achi |
102 | @aCN@b110000 | |
105 | @aak a 000yy | |
106 | @ar | |
200 | 1 | @a微电子器件基础@Awei dian zi qi jian ji chu@f王颖, 宋延兴, 康大为编著 |
210 | @a北京@c电子工业出版社@d2024.04 | |
215 | @a304页@c图@d26cm | |
225 | 2 | @a集成电路科学与工程系列教材@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng xi lie jiao cai |
312 | @a英文并列题名取自封面 | |
320 | @a有书目 (第303-304页) | |
330 | @a本书较全面地介绍常见微电子器件的基本结构、特性、原理、进展和测量方法。为了便于读者自学和参考, 首先介绍微电子器件涉及的半导体晶体结构、电子状态、载流子统计分布和运动等基础知识; 然后, 重点阐述半导体器件中的结与电容等核心单元的特性和机理; 之后, 详细介绍双极型晶体管、MOS场效应晶体管的基本工作原理、特性和电学参数; 在对经典半导体器件基础结构、工作机理和电学特性进行详细阐述后, 综述近年来基于硅和新材料的代表性器件; 最后, 概述半导体器件的表征与测量方法。本书提供配套的电子课件PPT、习题参考答案等。 | |
410 | 0 | @12001 @a集成电路科学与工程系列教材 |
510 | 1 | @aFundamentals of microelectronic devices@zeng |
586 | @a | |
606 | 0 | @a微电子技术@Awei dian zi ji shu@x电子器件@x高等学校@j教材 |
690 | @aTN4@v5 | |
701 | 0 | @a王颖@Awang ying@4编著 |
701 | 0 | @a宋延兴@Asong yan xing@4编著 |
701 | 0 | @a康大为@Akang da wei@4编著 |
801 | 0 | @aCN@c20240718 |
905 | @dTN4@eW432@f1@sTN4/W432@S@Z | |
微电子器件基础/王颖, 宋延兴, 康大为编著.-北京:电子工业出版社,2024.04 |
304页:图;26cm.-(集成电路科学与工程系列教材) |
ISBN 978-7-121-47739-3:CNY59.80 |
本书较全面地介绍常见微电子器件的基本结构、特性、原理、进展和测量方法。为了便于读者自学和参考, 首先介绍微电子器件涉及的半导体晶体结构、电子状态、载流子统计分布和运动等基础知识; 然后, 重点阐述半导体器件中的结与电容等核心单元的特性和机理; 之后, 详细介绍双极型晶体管、MOS场效应晶体管的基本工作原理、特性和电学参数; 在对经典半导体器件基础结构、工作机理和电学特性进行详细阐述后, 综述近年来基于硅和新材料的代表性器件; 最后, 概述半导体器件的表征与测量方法。本书提供配套的电子课件PPT、习题参考答案等。 |
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正题名:微电子器件基础
索取号:TN4/W432
 
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