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@a电力半导体新器件及其制造技术@Adian li ban dao ti xin qi jian ji qi zhi zao ji shu@f王彩琳编著@Fwang cai lin bian zhu
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@a北京@c机械工业出版社@d2015.06
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@ax, 554页@c图@d24cm
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@a电力电子新技术系列图书@Adian li dian zi xin ji shu xi lie tu shu
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@a本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件 (包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管 (IGCT)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT), 以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区, 功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强 (IE) 等新技术进行了详细介绍。
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@12001 @a电力电子新技术系列图书
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@a电力系统@Adian li xi tong@x电子器件@x生产工艺
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@a河南城建学院图书馆@b21324752@dTN303@eW123@f1
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| 电力半导体新器件及其制造技术/王彩琳编著.-北京：机械工业出版社，2015.06 |
| x, 554页：图；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| “十二五”国家重点图书出版规划项目 |
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| ISBN 978-7-111-47572-9：CNY99.00 |
| 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件 (包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管 (IGCT)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT), 以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区, 功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强 (IE) 等新技术进行了详细介绍。 |
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正题名：电力半导体新器件及其制造技术
索取号：TN303/W123
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1324752
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自科库301/301自科库 25排4列4层/
[索取号:TN303/W123]
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在馆
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