书目信息 |
| 题名： |
电力半导体新器件及其制造技术
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| 作者： | 王彩琳 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2015.06 |
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| 页数： | x, 554页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电力电子新技术系列图书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 电力系统--dian li xi tong--电子器件--生产工艺 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-47572-9 | |
| 000 | 01335nam 2200265 450 | |
| 001 | 012017002858 | |
| 010 | @a978-7-111-47572-9@dCNY99.00 | |
| 100 | @a20150608d2015 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aak a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a电力半导体新器件及其制造技术@Adian li ban dao ti xin qi jian ji qi zhi zao ji shu@f王彩琳编著@Fwang cai lin bian zhu |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2015.06 | |
| 215 | @ax, 554页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a电力电子新技术系列图书@Adian li dian zi xin ji shu xi lie tu shu |
| 300 | @a“十二五”国家重点图书出版规划项目 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件 (包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管 (IGCT)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT), 以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区, 功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强 (IE) 等新技术进行了详细介绍。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a电力电子新技术系列图书 |
| 606 | 0 | @a电力系统@Adian li xi tong@x电子器件@x生产工艺 |
| 690 | @aTN303@v5 | |
| 701 | 0 | @a王彩琳@Awang cai lin@4编著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20170817 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@b21324752@dTN303@eW123@f1 | |
| 电力半导体新器件及其制造技术/王彩琳编著.-北京：机械工业出版社，2015.06 |
| x, 554页：图；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| “十二五”国家重点图书出版规划项目 |
| ISBN 978-7-111-47572-9：CNY99.00 |
| 本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件 (包括GTO晶闸管、集成门极换流晶闸管 (IGCT)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管 (IGBT), 以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与模拟技术。重点对GTO的单位电流增益、IGCT的透明阳极和波状基区, 功率MOSFET的超结及IGBT的发射极电子注入增强 (IE) 等新技术进行了详细介绍。 |
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正题名：电力半导体新器件及其制造技术
索取号：TN303/W123
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