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@a低维形态样品组合材料芯片高通量制备技术与示范应用@Adi wei xing tai yang pin zu ge cai liao xin pian gao tong liang zhi bei ji shu yu shi fan ying yong@f刘茜等编著
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@a北京@c科学出版社@d2023.09
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@axix, 451页@c图@d25cm
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@a材料基因工程丛书@Acai liao ji yin gong cheng cong shu
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@a刘茜, 中国科学院上海硅酸盐研究所研究员, 博士生导师, 国务院政府特殊津贴获得者。
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@a有书目
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@a本书技术内容11章: 基于物理气相沉积的薄膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于化学气相沉积的薄膜厚膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于多源喷涂/光定向电泳沉积厚膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于外场加热结合的多通道并行合成粉体组合材料芯片制备技术, 以及基于多通道微反应器的微纳粉体组合材料芯片制备技术。此外, 在第12章专门对比分析国内外高通量制备技术与装备的专利特点和专利布局, 对制定我国相关技术领域的发展战略具有参考价值。
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@12001 @a材料基因工程丛书
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@a芯片@Axin pian@x工业生产设备@x研究
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@aTN43@v5
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@a刘茜@Aliu qian@4编著
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@aCN@c20230925
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@dTN43@eL665@f1@sTN43/L665@S@Z
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| 低维形态样品组合材料芯片高通量制备技术与示范应用/刘茜等编著.-北京：科学出版社，2023.09 |
| xix, 451页：图；25cm.-(材料基因工程丛书) |
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| ISBN 978-7-03-075992-4(精装)：CNY198.00 |
| 本书技术内容11章: 基于物理气相沉积的薄膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于化学气相沉积的薄膜厚膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于多源喷涂/光定向电泳沉积厚膜组合材料芯片高通量制备技术, 基于外场加热结合的多通道并行合成粉体组合材料芯片制备技术, 以及基于多通道微反应器的微纳粉体组合材料芯片制备技术。此外, 在第12章专门对比分析国内外高通量制备技术与装备的专利特点和专利布局, 对制定我国相关技术领域的发展战略具有参考价值。 |
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正题名：低维形态样品组合材料芯片高通量制备技术与
索取号：TN43/L665
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备注
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1
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21612991
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216129918
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自科库301/
[索取号:TN43/L665]
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