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@a硅技术的发展和未来@Agui ji shu de fa zhan he wei lai@f(法) P. 希弗特, (德) E. 克瑞梅尔编著@F(fa) P. xi fu te, (de) E. ke rui mei er bian zhu@g屠海令等译
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@a北京@c冶金工业出版社@d2009.02
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@axv, 480页@c图@d23cm
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@a英文题名原文取自版权页
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@a本书主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体硅材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件等。
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@a河南城建学院图书馆@b21356086-87@dTQ127.2@eX119@f2
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| 硅技术的发展和未来/(法) P. 希弗特, (德) E. 克瑞梅尔编著/屠海令等译.-北京：冶金工业出版社，2009.02 |
| xv, 480页：图；23cm |
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| ISBN 978-7-5024-4536-2：CNY50.00 |
| 本书主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体硅材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件等。 |
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正题名：硅技术的发展和未来
索取号：TQ127.2/X119
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1356086
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213560868
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自科库501/501自科库 139排5列5层/
[索取号:TQ127.2/X119]
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在馆
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2
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1356087
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213560877
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期刊室512/501自科库 139排5列5层/
[索取号:TQ127.2/X119]
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在馆
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