书目信息 |
| 题名： |
硅技术的发展和未来
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| 作者： | 希弗特 ， 克瑞梅尔 编著 ；屠海令 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 冶金工业出版社 2009.02 |
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| 页数： | xv, 480页 | |
| 开本： | 23cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TQ127.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 硅--gui--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-5024-4536-2 | |
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| 330 | @a本书主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体硅材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件等。 | |
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| 硅技术的发展和未来/(法) P. 希弗特, (德) E. 克瑞梅尔编著/屠海令等译.-北京：冶金工业出版社，2009.02 |
| xv, 480页：图；23cm |
| ISBN 978-7-5024-4536-2：CNY50.00 |
| 本书主要内容包括硅的基本物理性质、半导体晶体硅材料及工业用硅的研发历史、用于电子器件和光伏发电的多晶硅技术、硅外延、薄膜、多孔层和非晶硅技术的发展、硅在研究材料缺陷研究中的作用、硅掺杂特性、硅材料中杂质特性研究、半导体功率器件等。 |
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正题名：硅技术的发展和未来
索取号：TQ127.2/X119
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1356086 | 213560868 | 自科库501/501自科库 139排5列5层/ [索取号:TQ127.2/X119] | 在馆 | |
| 2 | 1356087 | 213560877 | 期刊室512/501自科库 139排5列5层/ [索取号:TQ127.2/X119] | 在馆 |