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@a材料结构与物性研究@Acai liao jie gou yu wu xing yan jiu@f孙霄霄, 张丹著@Fsun xiao xiao, zhang dan zhu
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@a本书受到牡丹江师范学院学术专著出版基金资助
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@a本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物 (BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3) 和过渡金属化合物 (Mo2BC、Mo3Al2C) 在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分10章, 第1章为绪论部分, 第2章是First-Principles (第一性原理) 计算的理论方法, 第3章是计算程序Materials Studio简介, 第4章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变, 第5章、第6章和第7章分别介绍了高压下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质。第8章和第9章介绍了过渡金属化合物Mo2BC、Mo3Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质。第10章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和电子性质。
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| 材料结构与物性研究/孙霄霄, 张丹著.-北京：冶金工业出版社，2018.01 |
| 137页：图；24cm |
| 本书受到牡丹江师范学院学术专著出版基金资助 |
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| ISBN 978-7-5024-7695-3：CNY36.00 |
| 本书采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对半导体材料Si、二元半导体化合物 (BiI3、Li3Bi、SbI3、AsI3) 和过渡金属化合物 (Mo2BC、Mo3Al2C) 在高压下的结构、力学和电子性质进行了系统的研究。全书共分10章, 第1章为绪论部分, 第2章是First-Principles (第一性原理) 计算的理论方法, 第3章是计算程序Materials Studio简介, 第4章介绍了半导体化合物BiI3的晶体结构、弹性性质、电子性质和高压下的结构相变, 第5章、第6章和第7章分别介绍了高压下Li3Bi、SbI3和AsI3的晶体结构、弹性性质和电子性质。第8章和第9章介绍了过渡金属化合物Mo2BC、Mo3Al2C的晶体结构、弹性性质和电子性质。第10章分析了单晶Si的晶体结构、弹性性质和电子性质。 |
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正题名：材料结构与物性研究
索取号：TB303/S967
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1357263
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213572631
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自科库501/501自科库 12排2列4层/
[索取号:TB303/S967]
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在馆
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2
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1357264
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213572640
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自科库501/501自科库 12排2列4层/
[索取号:TB303/S967]
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在馆
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