书目信息

书名： CMOS及其他先导技术 
作者： 刘金 ， 库恩 著 ；雷鉴铭 译
出版信息： 北京   机械工业出版社  2018.04
开本页数： 24cm  X, 329页
丛书名： 电子电气工程师技术丛书
单 册：
中图分类： TN432.02
科图分类：
主题词： CMOS电路--CMOS dian lu--电路设计
电子资源：
ISBN： 978-7-111-59391-1
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330    @a本书概述现代CMOS晶体管的技术发展, 提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件, 重点论述了具有更大亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。
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    CMOS及其他先导技术：特大规模集成电路设计/(美) 刘金, 科林·库恩等著= CMOS and beyond：logic switches for terascale integrated circuits/Tsu-Jae King Liu, Kelin Kuhn/雷鉴铭等译.-北京：机械工业出版社，2018.04
    X, 329页：图；24cm.-(电子电气工程师技术丛书)
    
    
    ISBN 978-7-111-59391-1：CNY99.00
    本书概述现代CMOS晶体管的技术发展, 提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件, 重点论述了具有更大亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。
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正题名：CMOS及其他先导技术     索取号：TN432.02/L635         预约/预借

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1 1374829   213748293   自科库301/301自科库 28排1列5层/ [索取号:TN432.02/L635] 在馆    
2 1374830   213748300   自科库301/301自科库 28排1列5层/ [索取号:TN432.02/L635] 在馆