书目信息 |
| 题名： |
CMOS及其他先导技术
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| 作者： | 刘金 ， 库恩 著 ；雷鉴铭 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2018.04 |
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| 页数： | X, 329页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电子电气工程师技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432.02 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | CMOS电路--CMOS dian lu--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-59391-1 | |
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| 001 | CAL 0120182444643 | |
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| 200 | 1 | @aCMOS及其他先导技术@ACMOS ji qi ta xian dao ji shu@e特大规模集成电路设计@f(美) 刘金, 科林·库恩等著@d= CMOS and beyond@elogic switches for terascale integrated circuits@fTsu-Jae King Liu, Kelin Kuhn@g雷鉴铭等译@zeng |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2018.04 | |
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| 306 | @a由剑桥大学出版与机械工业出版社合作出版 | |
| 314 | @a刘金, IEEE会士, 加州伯克利分校电气工程与计算机科学系微电子专业TSMC杰出教授。科林·库恩, IEEE会士, 康奈尔大学Mary Upson客座教授。 | |
| 330 | @a本书概述现代CMOS晶体管的技术发展, 提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件, 重点论述了具有更大亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。 | |
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| 701 | 1 | @a库恩@Aku en@g(Kuhn, Kelin)@4著 |
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| CMOS及其他先导技术：特大规模集成电路设计/(美) 刘金, 科林·库恩等著= CMOS and beyond：logic switches for terascale integrated circuits/Tsu-Jae King Liu, Kelin Kuhn/雷鉴铭等译.-北京：机械工业出版社，2018.04 |
| X, 329页：图；24cm.-(电子电气工程师技术丛书) |
| ISBN 978-7-111-59391-1：CNY99.00 |
| 本书概述现代CMOS晶体管的技术发展, 提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。第一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件, 重点论述了具有更大亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。 |
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正题名：CMOS及其他先导技术
索取号：TN432.02/L635
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| 2 | 1374830 | 213748300 | 自科库301/301自科库 21排1列2层/ [索取号:TN432.02/L635] | 在馆 |