书目信息 |
| 题名： |
半导体器件电子学
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| 作者： | 格龙, ， 沃纳, 著 ；吕长志 ， 冯士维 ， 张万荣 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2005.02 |
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| 页数： | 645页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 国外电子与通信教材系列 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN301 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体电子学--ban dao ti dian zi xue--教材 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 7-121-00882-3 | |
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| 306 | @a据Oxford University Press, Inc.1991年英文版译出 由Oxford University Press, Inc.授权电子工业出版社出版。 | |
| 314 | @a责任者Warner规范汉译姓为: 沃纳; 责任者Grung规范汉译姓为: 格龙。 | |
| 320 | @a有书目。 | |
| 330 | @a本书从现代电子学基础开始，依次讲述半导体体特性、PN结、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。 | |
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| 半导体器件电子学= Semiconductor-device electronics/(美) R.M.Warner, B.L.Grung著/吕长志, 冯士维, 张万荣等译.-北京：电子工业出版社，2005.02 |
| 645页：图；26cm.-(国外电子与通信教材系列) |
| ISBN 7-121-00882-3：CNY62.00 |
| 本书从现代电子学基础开始，依次讲述半导体体特性、PN结、双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管等半导体器件电子学中最基本、最经典的内容。 |
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正题名：半导体器件电子学
索取号：TN301/W705
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 589723 | 205897234 | 自科库301/301自科库 25排4列2层/ [索取号:TN301/W705] | 在馆 | |
| 2 | 589724 | 205897243 | 自科库301/404自科库 12排3列3层/ [索取号:TN301/W705] | 在馆 | |
| 3 | 589725 | 205897252 | 自科库301/301自科库 25排4列2层/ [索取号:TN301/W705] | 在馆 |