书目信息 |
| 题名： |
纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化
|
|
| 作者： | 韩银和 ， 靳松 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2019.06 |
|
| 页数： | 181页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN431.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--na mi cai liao--数字集成电路--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-52299-7 | |
| 000 | 01593nam0 2200265 450 | |
| 001 | CAL 0120192791325 | |
| 010 | @a978-7-302-52299-7@dCNY69.00 | |
| 100 | @a20191007d2019 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aak a 000yy | |
| 200 | 1 | @a纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化@Ana mi shu zi ji cheng dian lu de pian cha xiao ying fen xi yu you hua@e从电路级到系统级@d= Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability@efrom circuit-level to system level@f靳松, 韩银和著@zeng |
| 210 | @a北京@c清华大学出版社@d2019.06 | |
| 215 | @a181页@c图@d24cm | |
| 314 | @a靳松, 博士, 硕士生导师。任教于华北电力大学电气与电子工程学院电子与通信工程系。韩银和, 博士, 研究员。2006年在中国科学院计算技术研究所计算所获得博士学位, 随后进入中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室工作。 | |
| 320 | @a有书目 (第169-181页) | |
| 330 | @a本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响, 并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。 | |
| 510 | 1 | @aAnalysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability@efrom circuit-level to system level@zeng |
| 517 | 1 | @a从电路级到系统级@Acong dian lu ji dao xi tong ji |
| 606 | 0 | @a纳米材料@Ana mi cai liao@x数字集成电路@x研究 |
| 690 | @aTN431.2@v5 | |
| 701 | 0 | @a韩银和@Ahan yin he@4著 |
| 701 | 0 | @a靳松@Ajin song@4著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20191007 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN431.2@eJ857 | |
| 纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化：从电路级到系统级= Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability：from circuit-level to system level/靳松, 韩银和著.-北京：清华大学出版社，2019.06 |
| 181页：图；24cm |
| ISBN 978-7-302-52299-7：CNY69.00 |
| 本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响, 并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化
索取号：TN431.2/J857
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1447436 | 214474362 | 自科库301/301自科库 20排4列3层/ [索取号:TN431.2/J857] | 在馆 | |
| 2 | 1447437 | 214474371 | 自科库301/301自科库 20排4列3层/ [索取号:TN431.2/J857] | 在馆 |