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题名:
碳化硅功率模块设计
    
 
作者: 卡斯特拉齐 , 伊拉斯 著 ;曾正 译
分册:  
出版信息: 北京   机械工业出版社  2024.12
页数: 247页
开本: 24cm
丛书名: 集成电路科学与工程丛书
单 册:
中图分类: TN303
科图分类:
主题词: 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian
电子资源:
ISBN: 978-7-111-76654-4
 
 
 
 
 
000 02016nam 2200337 450
001 93531
005 20250819101503.69
010    @a978-7-111-76654-4@dCNY119.00
100    @a20241211d2024 em y0chiy50 ea
101 1  @achi@cjpn@cita
102    @aCN@b110000
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106    @ar
200 1  @a碳化硅功率模块设计@Atan hua gui gong lv mo kuai she ji@e先进性、鲁棒性和可靠性@f(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著@g曾正 ... [等] 译
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215    @a247页@c图 (部分彩图)@d24cm
225 2  @a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
312    @a英文题名取自封面
314    @aAlberto Castellazzi是日本京都先端科学大学的教授, 他的研究集中在先进固态功率处理技术, 包括宽禁带半导体器件的表征和应用。他在工业界和学术界拥有20年的电力电子研发经历, 包括英国诺丁汉大学、德国西门子公司、瑞士苏黎世联邦理工学院和法国阿尔斯通公司。他是国际能源署旗下的电力电子变换技术部门 (PECTA) 的成员。Andrea lrace是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授, 他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。他之前在代尔夫特微电子和亚微米技术研究所工作过。他在国际刊物上发表了超过120篇论文。
320    @a有书目
330    @a本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。
410  0 @12001 @a集成电路科学与工程丛书
510 1  @aSiC power module design performance, robustness and reliability@zeng
517 1  @a先进性、鲁棒性和可靠性@Axian jin xing 、 lu bang xing he ke kao xing
606 0  @a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian
690    @aTN303@v5
701  1 @a卡斯特拉齐@Aka si te la qi@g(Castellazzi, Alberto)@4著
701  1 @a伊拉斯@Ayi la si@g(Irace, Andrea)@4著
702  0 @a曾正@Azeng zheng@4译
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905    @a河南城建学院图书馆@dTN303@eK090@f1
    
    碳化硅功率模块设计:先进性、鲁棒性和可靠性/(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著/曾正 ... [等] 译.-北京:机械工业出版社,2024.12
    247页:图 (部分彩图);24cm.-(集成电路科学与工程丛书)
    
    
    ISBN 978-7-111-76654-4:CNY119.00
    本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。
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正题名:碳化硅功率模块设计     索取号:TN303/K090         预约/预借

序号 登录号 条形码 馆藏地/架位号 状态 备注
1 1627489   216274895   自科库301/ [索取号:TN303/K090] 在馆    
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