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000
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02016nam 2200337 450
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93531
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20250819101503.69
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@a978-7-111-76654-4@dCNY119.00
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@a20241211d2024 em y0chiy50 ea
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@achi@cjpn@cita
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@aCN@b110000
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@aa a 000yy
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@ar
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@a碳化硅功率模块设计@Atan hua gui gong lv mo kuai she ji@e先进性、鲁棒性和可靠性@f(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著@g曾正 ... [等] 译
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@a北京@c机械工业出版社@d2024.12
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@a247页@c图 (部分彩图)@d24cm
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@a集成电路科学与工程丛书@Aji cheng dian lu ke xue yu gong cheng cong shu
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@a英文题名取自封面
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@aAlberto Castellazzi是日本京都先端科学大学的教授, 他的研究集中在先进固态功率处理技术, 包括宽禁带半导体器件的表征和应用。他在工业界和学术界拥有20年的电力电子研发经历, 包括英国诺丁汉大学、德国西门子公司、瑞士苏黎世联邦理工学院和法国阿尔斯通公司。他是国际能源署旗下的电力电子变换技术部门 (PECTA) 的成员。Andrea lrace是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授, 他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。他之前在代尔夫特微电子和亚微米技术研究所工作过。他在国际刊物上发表了超过120篇论文。
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@a有书目
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@a本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。
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@12001 @a集成电路科学与工程丛书
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@aSiC power module design performance, robustness and reliability@zeng
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@a先进性、鲁棒性和可靠性@Axian jin xing 、 lu bang xing he ke kao xing
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@a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian
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@aTN303@v5
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1
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@a卡斯特拉齐@Aka si te la qi@g(Castellazzi, Alberto)@4著
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701
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@a伊拉斯@Ayi la si@g(Irace, Andrea)@4著
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@a曾正@Azeng zheng@4译
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801
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@aCN@c20250909
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905
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@a河南城建学院图书馆@dTN303@eK090@f1
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| 碳化硅功率模块设计：先进性、鲁棒性和可靠性/(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著/曾正 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2024.12 |
| 247页：图 (部分彩图)；24cm.-(集成电路科学与工程丛书) |
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| ISBN 978-7-111-76654-4：CNY119.00 |
| 本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案, 主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。 |
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正题名：碳化硅功率模块设计
索取号：TN303/K090
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1627489
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216274895
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自科库301/301自科库 25排4列3层/
[索取号:TN303/K090]
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在馆
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