书目信息 |
题名: |
硅通孔三维封装技术
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作者: | 于大全 主编 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 电子工业出版社 2021.09 |
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页数: | XVI, 292页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | 集成电路系列丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN405 | |
科图分类: | ||
主题词: | 集成电路--ji cheng dian lu--封装工艺 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-121-42016-0 |
000 | 01224nam 2200289 450 | |
001 | 2260401612 | |
010 | @a978-7-121-42016-0@b精装@dCNY128.00 | |
100 | @a20211112d2021 em y0chiy50 ea | |
101 | 0 | @achi |
102 | @aCN@b110000 | |
105 | @aa a 000yy | |
106 | @ar | |
200 | 1 | @a硅通孔三维封装技术@Agui tong kong san wei feng zhuang ji shu@f于大全主编 |
210 | @a北京@c电子工业出版社@d2021.09 | |
215 | @aXVI, 292页@c图@d24cm | |
225 | 2 | @a集成电路系列丛书@Aji cheng dian lu xi lie cong shu@i集成电路封装测试 |
300 | @a工信学术出版基金 集成电路产业知识赋能工程 | |
312 | @a英文题名取自封面 | |
320 | @a有书目 (第263-292页) | |
330 | @a本书针对TSV技术本身, 介绍了TSV结构、性能与集成流程、TSV单元工艺、圆片级键合技术与应用、圆片减薄与拿持技术、再布线与微凸点技术 ; 基于TSV的封装技术, 介绍了2.5D TSV中介层封装技术、3D WLCSP技术与应用、3D集成电路集成工艺与应用、3D集成电路的散热与可靠性。 | |
410 | 0 | @12001 @a集成电路系列丛书@i集成电路封装测试 |
510 | 1 | @a3D packaging technology with through silicon vias@zeng |
606 | 0 | @a集成电路@Aji cheng dian lu@x封装工艺 |
690 | @aTN405@v5 | |
701 | 0 | @a于大全@Ayu da quan@4主编 |
801 | 0 | @aCN@c20220906 |
905 | @a河南城建学院图书馆@dTN405@eY707 | |
硅通孔三维封装技术/于大全主编.-北京:电子工业出版社,2021.09 |
XVI, 292页:图;24cm.-(集成电路系列丛书.集成电路封装测试) |
工信学术出版基金 集成电路产业知识赋能工程 |
ISBN 978-7-121-42016-0(精装):CNY128.00 |
本书针对TSV技术本身, 介绍了TSV结构、性能与集成流程、TSV单元工艺、圆片级键合技术与应用、圆片减薄与拿持技术、再布线与微凸点技术 ; 基于TSV的封装技术, 介绍了2.5D TSV中介层封装技术、3D WLCSP技术与应用、3D集成电路集成工艺与应用、3D集成电路的散热与可靠性。 |
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正题名:硅通孔三维封装技术
索取号:TN405/Y707
 
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