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@a北京@c科学出版社@d2014
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@ax, 374页, [2] 页图版@c图@d25cm
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@a半导体科学与技术丛书@Aban dao ti ke xue yu ji shu cong shu
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@a有书目和索引
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@a本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。
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@a河南城建学院图书馆@dTN304.2@eM064
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| 透明氧化物半导体/马洪磊, 马瑾著.-北京：科学出版社，2014 |
| x, 374页, [2] 页图版：图；25cm.-(半导体科学与技术丛书) |
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| ISBN 978-7-03-041664-3(精装)：CNY148.00 |
| 本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。 |
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正题名：透明氧化物半导体
索取号：TN304.2/M064
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1170545
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211705458
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自科库301/301自科库 26排1列1层/
[索取号:TN304.2/M064]
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在馆
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