书目信息 |
| 题名： |
透明氧化物半导体
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| 作者： | 马洪磊 ， 马瑾 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2014 |
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| 页数： | x, 374页, [2] 页图版 | |
| 开本： | 25cm | |
| 丛书名： | 半导体科学与技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN304.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 氧化物半导体--yang hua wu ban dao ti | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-041664-3 | |
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| 330 | @a本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。 | |
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| 透明氧化物半导体/马洪磊, 马瑾著.-北京：科学出版社，2014 |
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| ISBN 978-7-03-041664-3(精装)：CNY148.00 |
| 本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础, 分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质, 评述新兴透明氧化物电子学。 |
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正题名：透明氧化物半导体
索取号：TN304.2/M064
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