书目信息 |
| 题名： |
CMOS芯片结构与制造技术
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| 作者： | 潘桂忠 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2021.12 |
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| 页数： | XV, 358页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 集成电路基础与实践技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN430.5 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | CMOS电路--CMOS dian lu--芯片--生产工艺 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-121-42500-4 | |
| 000 | 01467nam 2200289 450 | |
| 001 | 2260336941 | |
| 010 | @a978-7-121-42500-4@dCNY158.00 | |
| 100 | @a20220307d2021 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aak a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @aCMOS芯片结构与制造技术@ACMOS xin pian jie gou yu zhi zao ji shu@f潘桂忠编著 |
| 210 | @a北京@c电子工业出版社@d2021.12 | |
| 215 | @aXV, 358页@c图@d26cm | |
| 225 | 2 | @a集成电路基础与实践技术丛书@Aji cheng dian lu ji chu yu shi jian ji shu cong shu |
| 300 | @a工信学术出版基金 | |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a集成电路基础与实践技术丛书 |
| 510 | 1 | @aComplementary metal oxide semiconductor@zeng |
| 606 | 0 | @aCMOS电路@ACMOS dian lu@x芯片@x生产工艺 |
| 690 | @aTN430.5@v5 | |
| 701 | 0 | @a潘桂忠@Apan gui zhong@4编著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20220906 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN430.5@eP129 | |
| CMOS芯片结构与制造技术/潘桂忠编著.-北京：电子工业出版社，2021.12 |
| XV, 358页：图；26cm.-(集成电路基础与实践技术丛书) |
| 工信学术出版基金 |
| ISBN 978-7-121-42500-4：CNY158.00 |
| 本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。 |
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正题名：CMOS芯片结构与制造技术
索取号：TN430.5/P129
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