书目信息 |
题名: |
CMOS芯片结构与制造技术
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作者: | 潘桂忠 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 电子工业出版社 2021.12 |
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页数: | XV, 358页 | |
开本: | 26cm | |
丛书名: | 集成电路基础与实践技术丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN430.5 | |
科图分类: | ||
主题词: | CMOS电路--CMOS dian lu--芯片--生产工艺 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-121-42500-4 |
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CMOS芯片结构与制造技术/潘桂忠编著.-北京:电子工业出版社,2021.12 |
XV, 358页:图;26cm.-(集成电路基础与实践技术丛书) |
工信学术出版基金 |
ISBN 978-7-121-42500-4:CNY158.00 |
本书从CMOS芯片结构技术出发, 系统地介绍了微米﹑亚微米﹑深亚微米及纳米CMOS制造技术, 内容包括单阱CMOS﹑双阱CMOS﹑LV/HV兼容CMOS﹑BiCMOS﹑LV/HV兼容BiCMOS, 以及LV/HV兼容BCD制造技术。全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件﹑制造技术及主要参数所组成的综合表, 从芯片结构出发, 利用计算机和它所提供的软件, 描绘出芯片制造的各工序剖面结构, 从而得到制程剖面结构。书中给出了100种典型CMOS芯片结构, 介绍了各种典型制造技术, 并描绘出50种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构, 对于电路设计﹑芯片制造﹑良率提升﹑产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。 |
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正题名:CMOS芯片结构与制造技术
索取号:TN430.5/P129
 
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