书目信息 |
| 题名： |
二维化合物的吸附特性
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| 作者： | 琚伟伟 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 化学工业出版社 2020.01 |
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| 页数： | 106页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | O614 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 过渡金属化合物--guo du jin shu hua he wu | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-122-35272-9 | |
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| 330 | @a本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响, 第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响, 第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响, 第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响, 第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。 | |
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| 二维化合物的吸附特性/琚伟伟著.-北京：化学工业出版社，2020.01 |
| 106页：图；24cm |
| ISBN 978-7-122-35272-9：CNY48.00 |
| 本书是作者近年来在对二维化合物材料的电子结构、磁特性以及相变的研究基础上撰写而成的, 系统地介绍了吸附、掺杂、缺陷等调控方法对二维MoS2和InSe材料的电子性质及磁特性的影响。全书共分七章, 前两章介绍了相关材料的研究背景及理论方法。第三章介绍了Au团簇吸附对非缺陷和缺陷单层MoS2结构和电子性质的影响, 第四章介绍了反位缺陷对单层MoS2电子和磁学性质的影响, 第五章介绍了非金属原子吸附对缺陷单层MoS2磁学性质的影响, 第六章介绍了3d过渡金属原子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响, 第七章介绍了小分子吸附对单层InSe电学和磁学性质的影响。 |
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正题名：二维化合物的吸附特性
索取号：O614/J932
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| 1 | 1468301 | 214683010 | 自科库401/401自科库 62排2列2层/ [索取号:O614/J932] | 在馆 | |
| 2 | 1468302 | 214683029 | 自科库401/401自科库 62排2列2层/ [索取号:O614/J932] | 在馆 |