书目信息 |
题名: |
脉冲功率器件及其应用
|
|
作者: | 梁琳 , 余岳辉 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 机械工业出版社 2024.06 |
|
页数: | xvii, 485页, [4] 页图版 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | 电力电子新技术系列图书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN6 | |
科图分类: | ||
主题词: | 大功率--da gong lv--脉冲电路--电子器件 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-111-75505-0 |
000 | 01442nam 2200313 450 | |
001 | 2442101226 | |
010 | @a978-7-111-75505-0@dCNY149.00 | |
100 | @a20240712d2024 em y0chiy0120 ea | |
101 | 0 | @achi |
102 | @aCN@b110000 | |
105 | @aafk a 000yy | |
106 | @ar | |
200 | 1 | @a脉冲功率器件及其应用@Amai chong gong lv qi jian ji qi ying yong@f梁琳, 余岳辉编著 |
205 | @a第2版 | |
210 | @a北京@c机械工业出版社@d2024.06 | |
215 | @axvii, 485页, [4] 页图版@c图 (部分彩图)@d24cm | |
225 | 2 | @a电力电子新技术系列图书@Adian li dian zi xin ji shu ji lie tu shu |
312 | @a英文并列题名取自封面 | |
320 | @a有书目 | |
330 | @a本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述, 然后分别论述了电流控制型器件 (具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管) 和电压控制型器件 (具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH) 的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用, 特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关 (包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管) 的机理模型和实际运用等问题, 论述了部分新型碳化硅基器件, 最后阐述了脉冲功率应用技术。 | |
410 | 0 | @12001 @a电力电子新技术系列图书 |
510 | 1 | @aPulsed power devices and applications@zeng |
586 | @a | |
606 | 0 | @a大功率@Ada gong lv@x脉冲电路@x电子器件 |
690 | @aTN6@v5 | |
701 | 0 | @a梁琳@Aliang lin@4编著 |
701 | 0 | @a余岳辉@Ayu yue hui@4编著 |
801 | 0 | @aCN@c20240712 |
905 | @dTN6@eL408@f1@sTN6/L408@S@Z | |
脉冲功率器件及其应用/梁琳, 余岳辉编著.-第2版.-北京:机械工业出版社,2024.06 |
xvii, 485页, [4] 页图版:图 (部分彩图);24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
ISBN 978-7-111-75505-0:CNY149.00 |
本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述, 然后分别论述了电流控制型器件 (具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管) 和电压控制型器件 (具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH) 的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用, 特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关 (包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管) 的机理模型和实际运用等问题, 论述了部分新型碳化硅基器件, 最后阐述了脉冲功率应用技术。 |
● |
相关链接 |
正题名:脉冲功率器件及其应用
索取号:TN6/L408
 
预约/预借
序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
1 | 21617241 | 216172415 | 自科库301/ [索取号:TN6/L408] | 在馆 |