书目信息 |
| 题名： |
脉冲功率器件及其应用
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| 作者： | 梁琳 ， 余岳辉 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2024.06 |
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| 页数： | xvii, 485页, [4] 页图版 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电力电子新技术系列图书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN6 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 大功率--da gong lv--脉冲电路--电子器件 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-75505-0 | |
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| 001 | 2442101226 | |
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| 200 | 1 | @a脉冲功率器件及其应用@Amai chong gong lv qi jian ji qi ying yong@f梁琳, 余岳辉编著 |
| 205 | @a第2版 | |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2024.06 | |
| 215 | @axvii, 485页, [4] 页图版@c图 (部分彩图)@d24cm | |
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| 312 | @a英文并列题名取自封面 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述, 然后分别论述了电流控制型器件 (具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管) 和电压控制型器件 (具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH) 的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用, 特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关 (包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管) 的机理模型和实际运用等问题, 论述了部分新型碳化硅基器件, 最后阐述了脉冲功率应用技术。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a电力电子新技术系列图书 |
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| 脉冲功率器件及其应用/梁琳, 余岳辉编著.-第2版.-北京：机械工业出版社，2024.06 |
| xvii, 485页, [4] 页图版：图 (部分彩图)；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| ISBN 978-7-111-75505-0：CNY149.00 |
| 本书首先对脉冲功率开关的发展历程进行了总体概述, 然后分别论述了电流控制型器件 (具体包括GTO晶闸管、GCT和IGCT、非对称晶闸管) 和电压控制型器件 (具体包括功率MOSFET、IGBT、SITH) 的结构、工作原理、特性参数、封装技术、可靠性及其在脉冲功率系统中的应用, 特别讨论了几种新型专门用于脉冲功率领域的半导体开关 (包括反向开关晶体管、半导体断路开关、漂移阶跃恢复二极管、光电导开关和快速离化晶体管) 的机理模型和实际运用等问题, 论述了部分新型碳化硅基器件, 最后阐述了脉冲功率应用技术。 |
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正题名：脉冲功率器件及其应用
索取号：TN6/L408
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