书目信息 |
| 题名： |
用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
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| 作者： | 楚罕 著 ；陈铖颖 ， 张宏怡 ， 荆有波 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2020.09 |
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| 页数： | 239页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 微电子与集成电路先进技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN402 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 集成电路--ji cheng dian lu--电路设计--系统建模 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-65981-5 | |
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| 200 | 1 | @a用于集成电路仿真和设计的FinFET建模@Ayong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo@e基于BSIM-CMG标准@f(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著@g陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译 |
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| 304 | @a题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等 | |
| 306 | @a由Elsevier Inc.授权出版 | |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 | |
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| 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模：基于BSIM-CMG标准/(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著/陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译.-北京：机械工业出版社，2020.09 |
| 239页：图；24cm.-(微电子与集成电路先进技术丛书) |
| ISBN 978-7-111-65981-5：CNY99.00 |
| 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 |
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正题名：用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
索取号：TN402/C895
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