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000
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01669nam 2200349 450
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001
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CAL 0120203083640
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@a978-7-111-65981-5@dCNY99.00
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@a20201016d2020 em y0chiy50 ea
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@achi@cinc
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@aCN@b110000
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@aa a 000yy
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@ar
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@a用于集成电路仿真和设计的FinFET建模@Ayong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo@e基于BSIM-CMG标准@f(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著@g陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译
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@a北京@c机械工业出版社@d2020.09
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@a239页@c图@d24cm
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@a微电子与集成电路先进技术丛书@Awei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu
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@a题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等
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@a由Elsevier Inc.授权出版
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@a英文题名取自封面
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@a有书目
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@a本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。
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@12001 @a微电子与集成电路先进技术丛书
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@aUsing the BSIM-CMG standard@zeng
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@a基于BSIM-CMG标准@Aji yu BSIM-CMG biao zhun
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@a集成电路@Aji cheng dian lu@x电路设计@x系统建模
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@aTN402@v5
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@a楚罕@Achu han@g(Chauhan, Yogesh Singh)@4著
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@a陈铖颖@Achen cheng ying@4译
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@a张宏怡@Azhang hong yi@4译
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@a荆有波@Ajing you bo@4译
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@aCN@c20210906
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@a河南城建学院图书馆@dTN402@eC895
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| 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模：基于BSIM-CMG标准/(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著/陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译.-北京：机械工业出版社，2020.09 |
| 239页：图；24cm.-(微电子与集成电路先进技术丛书) |
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| ISBN 978-7-111-65981-5：CNY99.00 |
| 本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 |
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正题名：用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
索取号：TN402/C895
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1514636
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215146367
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自科库301/301自科库 26排3列5层/
[索取号:TN402/C895]
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在馆
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