书目信息 |
题名: |
用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
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作者: | 楚罕 著 ;陈铖颖 , 张宏怡 , 荆有波 译 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 机械工业出版社 2020.09 |
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页数: | 239页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | 微电子与集成电路先进技术丛书 | |
单 册: | ||
中图分类: | TN402 | |
科图分类: | ||
主题词: | 集成电路--ji cheng dian lu--电路设计--系统建模 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-111-65981-5 |
000 | 01669nam 2200349 450 | |
001 | CAL 0120203083640 | |
010 | @a978-7-111-65981-5@dCNY99.00 | |
100 | @a20201016d2020 em y0chiy50 ea | |
101 | 1 | @achi@cinc |
102 | @aCN@b110000 | |
105 | @aa a 000yy | |
106 | @ar | |
200 | 1 | @a用于集成电路仿真和设计的FinFET建模@Ayong yu ji cheng dian lu fang zhen he she ji de FinFET jian mo@e基于BSIM-CMG标准@f(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著@g陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译 |
210 | @a北京@c机械工业出版社@d2020.09 | |
215 | @a239页@c图@d24cm | |
225 | 2 | @a微电子与集成电路先进技术丛书@Awei dian zi yu ji cheng dian lu xian jin ji shu cong shu |
304 | @a题名页题其余责任者: 达森·杜安·卢, 史利南库马尔·维努戈帕兰, 苏拉布·坎德瓦尔, 胡安·帕布鲁·杜阿尔特, 纳韦德·帕瓦多斯等 | |
306 | @a由Elsevier Inc.授权出版 | |
312 | @a英文题名取自封面 | |
320 | @a有书目 | |
330 | @a本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 | |
410 | 0 | @12001 @a微电子与集成电路先进技术丛书 |
510 | 1 | @aUsing the BSIM-CMG standard@zeng |
517 | 1 | @a基于BSIM-CMG标准@Aji yu BSIM-CMG biao zhun |
606 | 0 | @a集成电路@Aji cheng dian lu@x电路设计@x系统建模 |
690 | @aTN402@v5 | |
701 | 1 | @a楚罕@Achu han@g(Chauhan, Yogesh Singh)@4著 |
702 | 0 | @a陈铖颖@Achen cheng ying@4译 |
702 | 0 | @a张宏怡@Azhang hong yi@4译 |
702 | 0 | @a荆有波@Ajing you bo@4译 |
801 | 0 | @aCN@c20210906 |
905 | @a河南城建学院图书馆@dTN402@eC895 | |
用于集成电路仿真和设计的FinFET建模:基于BSIM-CMG标准/(印度) 尤盖希·辛格·楚罕 ... [等] 著/陈铖颖, 张宏怡, 荆有波译.-北京:机械工业出版社,2020.09 |
239页:图;24cm.-(微电子与集成电路先进技术丛书) |
ISBN 978-7-111-65981-5:CNY99.00 |
本书从三维结构的原理、物理效应入手, 详细讨论了FinFET紧凑模型 (BSIM-CMG) 产生的背景、原理、参数以及实现方法 ; 同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导, 而进行了更为直接的机理分析, 力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。 |
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正题名:用于集成电路仿真和设计的FinFET建模
索取号:TN402/C895
 
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