|
000
|
01163nam 2200277 450
|
|
001
|
012010350357
|
|
005
|
20100524163510.03
|
|
010
|
|
@a978-7-81129-126-1@dCNY25.00
|
|
100
|
|
@a20100524d2009 em y0chiy0120 ea
|
|
101
|
0
|
@achi
|
|
102
|
|
@aCN@b230000
|
|
105
|
|
@aak a 000yy
|
|
106
|
|
@ar
|
|
200
|
1
|
@a纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究@Ana mi gui/dan jing gui yi zhi jie MOSFETs ya/ci duo gong neng chuan gan qi yan jiu@f赵晓锋著@Fzhao xiao feng zhu
|
|
210
|
|
@a哈尔滨@c黑龙江大学出版社@d2009.08
|
|
215
|
|
@a246页@c图@d21cm
|
|
225
|
2
|
@a黑龙江大学学术文库@Ahei long jiang da xue xue shu wen ku
|
|
320
|
|
@a有书目 (第234-246页)
|
|
330
|
|
@a本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。
|
|
410
|
0
|
@12001 @a黑龙江大学学术文库
|
|
606
|
0
|
@a压力传感器@Aya li chuan gan qi@x研究
|
|
606
|
0
|
@a磁性传感器@Aci xing chuan gan qi@x研究
|
|
690
|
|
@aTP212@v4
|
|
701
|
0
|
@a赵晓锋@Azhao xiao feng@4著
|
|
801
|
0
|
@aCN@bQSSK@c20100524
|
|
905
|
|
@b779583-85@dTP212@eZ331@f3
|
|
|
|
|
| |
| 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究/赵晓锋著.-哈尔滨：黑龙江大学出版社，2009.08 |
| 246页：图；21cm.-(黑龙江大学学术文库) |
| |
| |
| ISBN 978-7-81129-126-1：CNY25.00 |
| 本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。 |
| ● |
正题名：纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传
索取号：TP212/Z331
预约/预借
| 序号
|
登录号
|
条形码
|
馆藏地/架位号
|
状态
|
备注
|
|
1
|
779583
|
207795830
|
自科库301/301自科库 40排2列3层/
[索取号:TP212/Z331]
|
在馆
|
|
|
2
|
779584
|
207795849
|
自科二线404/301自科库 36排1列2层/
[索取号:TP212/Z331]
|
在馆
|
|
|
3
|
779585
|
207795858
|
自科库301/301自科库 40排2列3层/
[索取号:TP212/Z331]
|
在馆
|
|
