书目信息 |
| 题名： |
纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究
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| 作者： | 赵晓锋 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 哈尔滨 黑龙江大学出版社 2009.08 |
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| 页数： | 246页 | |
| 开本： | 21cm | |
| 丛书名： | 黑龙江大学学术文库 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TP212 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 压力传感器--ya li chuan gan qi--研究 , 磁性传感器--ci xing chuan gan qi--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-81129-126-1 | |
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| 330 | @a本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。 | |
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| 纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传感器研究/赵晓锋著.-哈尔滨：黑龙江大学出版社，2009.08 |
| 246页：图；21cm.-(黑龙江大学学术文库) |
| ISBN 978-7-81129-126-1：CNY25.00 |
| 本书在温殿忠教授提出的JFET压/磁电效应基本理论基础上，给出MOSFETs压/磁多功能传感器在四种情况下的基本理论分析。采用CMOS工艺和MEMS技术设计、制作以纳米硅/单晶硅异质结为源极(S)和漏极(D)的MOSFETs压/磁多功能传感器。 |
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正题名：纳米硅/单晶硅异质结MOSFETs压/磁多功能传
索取号：TP212/Z331
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 779583 | 207795830 | 自科库301/301自科库 36排3列1层/ [索取号:TP212/Z331] | 在馆 | |
| 2 | 779584 | 207795849 | 自科二线404/301自科库 36排1列2层/ [索取号:TP212/Z331] | 在馆 | |
| 3 | 779585 | 207795858 | 自科库301/301自科库 36排1列2层/ [索取号:TP212/Z331] | 在馆 |