书目信息 |
| 题名： |
纳米CMOS集成电路
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| 作者： | 维恩德里克 著 ；周润德 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2011.01 |
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| 页数： | 389页, [8] 页图版 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 国外电子与通信教材系列 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体材料：纳米材料--ban dao ti cai liao:na mi cai liao--CMOS电路--集成电路--高等学校--教材 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-121-12697-0 | |
| 000 | 02070nam 2200325 450 | |
| 001 | CAL 012011058172 | |
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| 101 | 1 | @achi@ceng |
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| 105 | @aakf a 001yy | |
| 200 | 1 | @a纳米CMOS集成电路@Ana mi CMOS ji cheng dian lu@e从基本原理到专用芯片实现@d= Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs@f(荷兰) Harry Veendrick著@F(he lan)Harry Veendrick zhu@g周润德译@zeng |
| 210 | @a北京@c电子工业出版社@d2011.01 | |
| 215 | @a389页, [8] 页图版@c图 (部分彩图)@d26cm | |
| 225 | 2 | @a国外电子与通信教材系列@Aguo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie |
| 305 | @a据Springer出版公司2008年英文版译出 | |
| 306 | @a本书中文简体字版专有出版权由施普林格出版公司授予电子工业出版社。 | |
| 314 | @aHarry Veendrick, NXP Semiconductors 公司高级研究员，多年来从事存储器、门阵列和高端视频信号处理器的设计工作。 | |
| 320 | @a有书目和索引 | |
| 330 | @a本书全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法；介绍了存储器、专用集成电路和片上系统；突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。 | |
| 333 | @a本书可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、精密仪器与机械制造、自动化、计算机科学与技术等专业本科高年级学生和研究生有关纳米集成电路设计与制造方面课程的教科书，也可作为从事这一领域及相关领域的工程技术人员的参考书。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a国外电子与通信教材系列 |
| 500 | 10 | @aNanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs@ANanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs@mChinese |
| 517 | 1 | @a从基本原理到专用芯片实现@Acong ji ben yuan li dao zhuan yong xin pian shi xian |
| 606 | 0 | @a半导体材料：纳米材料@Aban dao ti cai liao:na mi cai liao@xCMOS电路@x集成电路@x高等学校@j教材 |
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| 701 | 1 | @a维恩德里克@AWei'endelike@g(Veendrick, Harry)@4著 |
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| 纳米CMOS集成电路：从基本原理到专用芯片实现= Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs/(荷兰) Harry Veendrick著/周润德译.-北京：电子工业出版社，2011.01 |
| 389页, [8] 页图版：图 (部分彩图)；26cm.-(国外电子与通信教材系列) |
| 使用对象：本书可作为高等院校电子科学与技术（包括微电子与光电子）、电子与信息工程、精密仪器与机械制造、自动化、计算机科学与技术等专业本科高年级学生和研究生有关纳米集成电路设计与制造方面课程的教科书，也可作为从事这一领域及相关领域的工程技术人员的参考书。 |
| ISBN 978-7-121-12697-0：CNY59.00 |
| 本书全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法；介绍了存储器、专用集成电路和片上系统；突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影响。书中还包括了有关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。 |
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正题名：纳米CMOS集成电路
索取号：TN432/W535
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| 1 | 1039560 | 210395605 | 自科库301/301自科库 36排3列3层/ [索取号:TN432/W535] | 在馆 | |
| 2 | 1039561 | 210395614 | 自科库301/301自科库 36排3列3层/ [索取号:TN432/W535] | 在馆 |