书目信息 |
题名: |
碳化硅晶体生长与缺陷
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作者: | 施尔畏 编著 | |
分册: | ||
出版信息: | 北京 科学出版社 2012.05 |
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页数: | 14,360页 | |
开本: | 24cm | |
丛书名: | ||
单 册: | ||
中图分类: | P578.94 | |
科图分类: | ||
主题词: | 硅酸盐矿物--晶体生长 , 硅酸盐矿物 , 晶体生长 | |
电子资源: | ||
ISBN: | 978-7-03-034128-0 |
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碳化硅晶体生长与缺陷=The growth and defects of silicon carbide crystal/施尔畏编著.-北京:科学出版社,2012.05 |
14,360页:图;24cm |
ISBN 978-7-03-034128-0(精装):CNY128.00 |
本书是国家重点项目《PVT法碳化硅晶体生长与缺陷研究》的系统总结,内容包括碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的物理气相输运法生长等。 |
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正题名:碳化硅晶体生长与缺陷
索取号:P578.94/S488
 
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