|
000
|
00901nam0 2200241 450
|
|
001
|
005911684
|
|
010
|
|
@a978-7-03-034128-0@b精装@dCNY128.00
|
|
100
|
|
@a20120301d2012 em y0chiy50 ea
|
|
101
|
0
|
@achi
|
|
102
|
|
@aCN@b110000
|
|
105
|
|
@aa z 000yy
|
|
200
|
1
|
@a碳化硅晶体生长与缺陷@Atan hua gui jing ti sheng zhang yu que xian@dThe growth and defects of silicon carbide crystal@f施尔畏编著@zeng
|
|
210
|
|
@a北京@c科学出版社@d2012.05
|
|
215
|
|
@a14,360页@c图@d24cm
|
|
330
|
|
@a本书是国家重点项目《PVT法碳化硅晶体生长与缺陷研究》的系统总结，内容包括碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的物理气相输运法生长等。
|
|
510
|
1
|
@aGrowth and defects of silicon carbide crystal@zeng
|
|
606
|
0
|
@a硅酸盐矿物@x晶体生长
|
|
606
|
0
|
@a硅酸盐矿物
|
|
606
|
0
|
@a晶体生长
|
|
690
|
|
@aP578.94@v5
|
|
701
|
0
|
@a施尔畏@Ashi er wei@f(1955~)@4编著
|
|
801
|
0
|
@aCN@c20121226
|
|
905
|
|
@dP578.94@eS488@f1
|
|
|
|
|
| |
| 碳化硅晶体生长与缺陷=The growth and defects of silicon carbide crystal/施尔畏编著.-北京：科学出版社，2012.05 |
| 14,360页：图；24cm |
| |
| |
| ISBN 978-7-03-034128-0(精装)：CNY128.00 |
| 本书是国家重点项目《PVT法碳化硅晶体生长与缺陷研究》的系统总结，内容包括碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的物理气相输运法生长等。 |
| ● |
正题名：碳化硅晶体生长与缺陷
索取号：P578.94/S488
预约/预借
| 序号
|
登录号
|
条形码
|
馆藏地/架位号
|
状态
|
备注
|
|
1
|
1214433
|
212144339
|
自科库401/401自科库 129排2列5层/
[索取号:P578.94/S488]
|
在馆
|
|
