书目信息 |
| 题名： |
半导体器件中的辐射效应
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| 作者： | 印纽斯基 编著 ；刘超铭 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 电子工业出版社 2021.12 |
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| 页数： | 12, 315页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 集成电路基础与实践技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 半导体器件--ban dao ti qi jian--辐射效应 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-121-42552-3 | |
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| 200 | 1 | @a半导体器件中的辐射效应@Aban dao ti qi jian zhong de fu she xiao ying@f(加) 克日什托夫·印纽斯基编著@g刘超铭 ... [等] 译 |
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| 300 | @a工信学术出版基金 | |
| 306 | @a由Taylor & Francis Group, LLC授予出版 | |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书主要介绍各类先进电子元器件在辐射 (例如航天, 核物理等) 环境下的性能和效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题, 本书尝试从不同角度分析该问题, 目的是帮助读者理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时的退化效应的主要特性。本书包含了目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向, 从传统的Si材料到新型的纳米晶体, 从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺, 从器件工艺到结构设计等。本书中各类新兴的探测器技术、电路设计技术、新材料和创新的系统方法都是由业界和学术界的顶尖专家探索研究的, 具有重要的学术价值。 | |
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| 半导体器件中的辐射效应/(加) 克日什托夫·印纽斯基编著/刘超铭 ... [等] 译.-北京：电子工业出版社，2021.12 |
| 12, 315页：图；26cm.-(集成电路基础与实践技术丛书) |
| 工信学术出版基金 |
| ISBN 978-7-121-42552-3：CNY128.00 |
| 本书主要介绍各类先进电子元器件在辐射 (例如航天, 核物理等) 环境下的性能和效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题, 本书尝试从不同角度分析该问题, 目的是帮助读者理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时的退化效应的主要特性。本书包含了目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向, 从传统的Si材料到新型的纳米晶体, 从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺, 从器件工艺到结构设计等。本书中各类新兴的探测器技术、电路设计技术、新材料和创新的系统方法都是由业界和学术界的顶尖专家探索研究的, 具有重要的学术价值。 |
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正题名：半导体器件中的辐射效应
索取号：TN303/Y612
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