书目信息 |
| 题名： |
铁电负电容场效应晶体管
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| 作者： | 周久人 ， 韩根全 ， 郝跃 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 人民邮电出版社 2025.06 |
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| 页数： | 240页 | |
| 开本： | 25cm | |
| 丛书名： | 电子信息前沿专著系列 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN386 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 铁电晶体--tie dian jing ti--场效应晶体管--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-115-66135-7 | |
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| 314 | @a周久人, 西安电子科技大学教授, 博士生导师, 国家级青年人才、小米青年学者, 杭州市B类高层次人才, 中国电子学会会员、IEEE 会员。韩根全, 西安电子科技大学教授, 西安电子科技大学杭州研究院后摩尔器件与芯片实验室主任, 国家级人才。郝跃, 中国科学院院士, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 微电子技术领域著名专家, 教育部高等学校电子信息类专业教学指导委员会主任委员, “核高基”国家科技重大专项实施专家组组长和总装备部微电子技术专家组组长。获国家技术发明奖二等 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书第1章概述集成电路产业对低功耗应用的迫切需求, 进而明确铁电负电容场效应晶体管发展的必要性。随后第2章和第3章分别论述氧化铪基铁电材料和铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程。基于以上理论与技术, 第4章至第7章深人探讨铁电负电容场效应晶体管的基本电学特性、电容匹配原则、NDR效应和频率响应特性等关键技术问题。此外, 本书第8章还讨论了负电容效应存在性和本质等本源问题。 | |
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| 铁电负电容场效应晶体管= Ferroelectric negative capacitance field effect transistor/周久人, 韩根全, 郝跃著.-北京：人民邮电出版社，2025.06 |
| 240页：图；25cm.-(电子信息前沿专著系列.第二期) |
| 国家出版基金项目 “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 |
| ISBN 978-7-115-66135-7(精装)：CNY149.00 |
| 本书第1章概述集成电路产业对低功耗应用的迫切需求, 进而明确铁电负电容场效应晶体管发展的必要性。随后第2章和第3章分别论述氧化铪基铁电材料和铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程。基于以上理论与技术, 第4章至第7章深人探讨铁电负电容场效应晶体管的基本电学特性、电容匹配原则、NDR效应和频率响应特性等关键技术问题。此外, 本书第8章还讨论了负电容效应存在性和本质等本源问题。 |
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正题名：铁电负电容场效应晶体管
索取号：TN386/Z777
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