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@a978-7-111-76455-7@dCNY168.00
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@a氮化镓电子器件热管理@Adan hua jia dian zi qi jian re guan li@f(美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编@d= Thermal management of gallium nitride electronics@fMarko J. Tadjer, Travis J. Anderson@g来萍 ... [等] 译@zeng
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@a北京@c机械工业出版社@d2025.01
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@aXIV, 415页@c彩图@d24cm
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@a先进半导体产业关键技术丛书@Axian jin ban dao ti chan ye guan jian ji shu cong shu
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@a机工电子
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@a由ELSEVIER LTD.授权出版
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@a马尔科·J. 塔德尔 (Marko J. Tadjer), 博士, 就职于华盛顿特区美国海军研究实验室。特拉维斯·J. 安德森 (Travis J.Anderson), 博士, 是美国海军研究实验室电力电子部门的负责人, 于2008年获得美国佛罗里达大学化学工程博士学位, 于2004 年获得乔治亚理工学院化学工程学士学位。
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@a有书目
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@a本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术 —— 栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。
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@12001 @a先进半导体产业关键技术丛书
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@aThermal management of gallium nitride electronics@mChinese
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@a氮化镓@Adan hua jia@x电力半导体器件@x传热学
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@aTN303@v5
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@a塔德尔@Ata de er@g(Tadjer, Marko J.)@4主编
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@a安德森@Aan de sen@g(Anderson, Travis J.)@4主编
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@a来萍@Alai ping@4译
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@aCN@c20250909
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@a河南城建学院图书馆@dTN303@eT005@f1
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| 氮化镓电子器件热管理/(美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编= Thermal management of gallium nitride electronics/Marko J. Tadjer, Travis J. Anderson/来萍 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2025.01 |
| XIV, 415页：彩图；24cm.-(先进半导体产业关键技术丛书) |
| 机工电子 |
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| ISBN 978-7-111-76455-7：CNY168.00 |
| 本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术 —— 栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。 |
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正题名：氮化镓电子器件热管理
索取号：TN303/T005
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1627371
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216273716
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自科库301/301自科库 25排4列4层/
[索取号:TN303/T005]
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在馆
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