书目信息 |
| 题名： |
氮化镓电子器件热管理
|
|
| 作者： | 塔德尔 ， 安德森 主编 ；来萍 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2025.01 |
|
| 页数： | XIV, 415页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 先进半导体产业关键技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 氮化镓--dan hua jia--电力半导体器件--传热学 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-76455-7 | |
| 000 | 02198nam 2200337 450 | |
| 001 | 93413 | |
| 005 | 20250819085505.16 | |
| 010 | @a978-7-111-76455-7@dCNY168.00 | |
| 100 | @a20250220d2025 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a氮化镓电子器件热管理@Adan hua jia dian zi qi jian re guan li@f(美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编@d= Thermal management of gallium nitride electronics@fMarko J. Tadjer, Travis J. Anderson@g来萍 ... [等] 译@zeng |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2025.01 | |
| 215 | @aXIV, 415页@c彩图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a先进半导体产业关键技术丛书@Axian jin ban dao ti chan ye guan jian ji shu cong shu |
| 300 | @a机工电子 | |
| 306 | @a由ELSEVIER LTD.授权出版 | |
| 314 | @a马尔科·J. 塔德尔 (Marko J. Tadjer), 博士, 就职于华盛顿特区美国海军研究实验室。特拉维斯·J. 安德森 (Travis J.Anderson), 博士, 是美国海军研究实验室电力电子部门的负责人, 于2008年获得美国佛罗里达大学化学工程博士学位, 于2004 年获得乔治亚理工学院化学工程学士学位。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术 —— 栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a先进半导体产业关键技术丛书 |
| 500 | 10 | @aThermal management of gallium nitride electronics@mChinese |
| 606 | 0 | @a氮化镓@Adan hua jia@x电力半导体器件@x传热学 |
| 690 | @aTN303@v5 | |
| 701 | 1 | @a塔德尔@Ata de er@g(Tadjer, Marko J.)@4主编 |
| 701 | 1 | @a安德森@Aan de sen@g(Anderson, Travis J.)@4主编 |
| 702 | 0 | @a来萍@Alai ping@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@c20250909 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN303@eT005@f1 | |
| 氮化镓电子器件热管理/(美) 马尔科·J. 塔德尔, 特拉维斯·J. 安德森主编= Thermal management of gallium nitride electronics/Marko J. Tadjer, Travis J. Anderson/来萍 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2025.01 |
| XIV, 415页：彩图；24cm.-(先进半导体产业关键技术丛书) |
| 机工电子 |
| ISBN 978-7-111-76455-7：CNY168.00 |
| 本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓 (GaN) 及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术 —— 栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：氮化镓电子器件热管理
索取号：TN303/T005
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1627371 | 216273716 | 自科库301/301自科库 25排4列4层/ [索取号:TN303/T005] | 在馆 |