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书名：
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功率半导体器件基础
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作者：
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巴利伽
著
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出版信息：
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北京
科学出版社
2012.06
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开本页数：
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24cm
17,1065页
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丛书名：
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单 册：
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中图分类：
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TN303
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科图分类：
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主题词：
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功率半导体器件--英文
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电子资源：
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ISBN：
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978-7-03-034340-6
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@a国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术
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@a由施普林格科学商业媒体授权出版
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@a本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
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| 功率半导体器件基础=Fundamentals of power semiconductor devices：英文版/(美) B. Jayant Baliga著.-影印版.-北京：科学出版社，2012.06 |
| 17,1065页；24cm |
| 国外信息科学与技术优秀图书系列 半导体科学与技术 |
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| ISBN 978-7-03-034340-6：CNY150.00 |
| 本书讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性,详细介绍了硅基器件,还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。 |
| ● |
正题名：功率半导体器件基础
索取号：TN303/B186
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1217622
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自科库301/301自科库 25排4列3层/
[索取号:TN303/B186]
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在馆
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