书目信息 |
| 题名： |
过电应力 (EOS) 器件、电路与系统
|
|
| 作者： | 沃尔德曼 著 ；雷鑑铭 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2016.03 |
|
| 页数： | xx, 286页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 国际电气工程先进技术译丛 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN60 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 电子元件--dian zi yuan jian--过电流保护--研究 , 电子元件--dian zi yuan jian--过电压保护--研究 , 电子器件--dian zi qi jian--过电流保护--研究 , 电子器件--dian zi qi jian--过电压保护--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-52318-5 | |
| 000 | 01941nam 2200325 450 | |
| 001 | 012017002581 | |
| 010 | @a978-7-111-52318-5@dCNY79.00 | |
| 100 | @a20160408d2016 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aak a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a过电应力 (EOS) 器件、电路与系统@Aguo dian ying li (EOS) qi jian 、dian lu yu ji tong@f(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著@F(mei) shi di wen H. wo er de man zhu@d= Electrical overstress (EOS)@edevices, circuits and systems@fSteven H.Voldman@g雷鑑铭等译@zeng |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2016.03 | |
| 215 | @axx, 286页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a国际电气工程先进技术译丛@Aguo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong |
| 314 | @a史蒂文 H. 沃尔德曼, 作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史, 主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性 (如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS) 的研究工作。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a国际电气工程先进技术译丛 |
| 500 | 10 | @aElectrical overstress (EOS) : devices, circuits and systems@mChinese |
| 606 | 0 | @a电子元件@Adian zi yuan jian@x过电流保护@x研究 |
| 606 | 0 | @a电子元件@Adian zi yuan jian@x过电压保护@x研究 |
| 606 | 0 | @a电子器件@Adian zi qi jian@x过电流保护@x研究 |
| 606 | 0 | @a电子器件@Adian zi qi jian@x过电压保护@x研究 |
| 690 | @aTN60@v5 | |
| 701 | 1 | @a沃尔德曼@Awo er de man@g(Voldman, Steven H.)@4著 |
| 702 | 0 | @a雷鑑铭@Alei jian ming@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@c20170817 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@b21324298@dTN60@eW705@f1 | |
| 过电应力 (EOS) 器件、电路与系统/(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著= Electrical overstress (EOS)：devices, circuits and systems/Steven H.Voldman/雷鑑铭等译.-北京：机械工业出版社，2016.03 |
| xx, 286页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) |
| ISBN 978-7-111-52318-5：CNY79.00 |
| 本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：过电应力 (EOS) 器件、电路与系统
索取号：TN60/W705
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1324298 | 213242980 | 自科库301/301自科库 37排1列4层/ [索取号:TN60/W705] | 在馆 |