000
01941nam 2200325 450
001
012017002581
010
@ a978-7-111-52318-5@ dCNY79.00
100
@ a20160408d2016 em y0chiy50 ea
101
1
@ achi@ ceng
102
@ aCN@ b110000
105
@ aak a 000yy
106
@ ar
200
1
@ a过电应力 (EOS) 器件、电路与系统@ Aguo dian ying li (EOS) qi jian 、dian lu yu ji tong@ f(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著@ F(mei) shi di wen H. wo er de man zhu@ d= Electrical overstress (EOS)@ edevices, circuits and systems@ fSteven H.Voldman@ g雷鑑铭等译@ zeng
210
@ a北京@ c机械工业出版社@ d2016.03
215
@ axx, 286页@ c图@ d24cm
225
2
@ a国际电气工程先进技术译丛@ Aguo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong
314
@ a史蒂文 H. 沃尔德曼, 作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史, 主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性 (如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS) 的研究工作。
320
@ a有书目
330
@ a本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。
410
0
@ 12001 @ a国际电气工程先进技术译丛
500
10
@ aElectrical overstress (EOS) : devices, circuits and systems@ mChinese
606
0
@ a电子元件@ Adian zi yuan jian@ x过电流保护@ x研究
606
0
@ a电子元件@ Adian zi yuan jian@ x过电压保护@ x研究
606
0
@ a电子器件@ Adian zi qi jian@ x过电流保护@ x研究
606
0
@ a电子器件@ Adian zi qi jian@ x过电压保护@ x研究
690
@ aTN60@ v5
701
1
@ a沃尔德曼@ Awo er de man@ g(Voldman, Steven H.)@ 4著
702
0
@ a雷鑑铭@ Alei jian ming@ 4译
801
0
@ aCN@ c20170817
905
@ a河南城建学院图书馆@ b21324298@ dTN60@ eW705@ f1
过电应力 (EOS) 器件、电路与系统/(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著= Electrical overstress (EOS)：devices, circuits and systems/Steven H.Voldman/雷鑑铭等译.-北京：机械工业出版社，2016.03 xx, 286页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) ISBN 978-7-111-52318-5：CNY79.00 本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 ●
预约/预借
序号
登录号
条形码
馆藏地/架位号
状态
备注
1
1324298
213242980
自科库301/301自科库 28排4列1层/
[索取号:TN60/W705]
在馆
