书目信息 |
| 题名： |
过电应力 (EOS) 器件、电路与系统
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| 作者： | 沃尔德曼 著 ；雷鑑铭 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2016.03 |
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| 页数： | xx, 286页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 国际电气工程先进技术译丛 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN60 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 电子元件--dian zi yuan jian--过电流保护--研究 , 电子元件--dian zi yuan jian--过电压保护--研究 , 电子器件--dian zi qi jian--过电流保护--研究 , 电子器件--dian zi qi jian--过电压保护--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-52318-5 | |
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| 200 | 1 | @a过电应力 (EOS) 器件、电路与系统@Aguo dian ying li (EOS) qi jian 、dian lu yu ji tong@f(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著@F(mei) shi di wen H. wo er de man zhu@d= Electrical overstress (EOS)@edevices, circuits and systems@fSteven H.Voldman@g雷鑑铭等译@zeng |
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| 314 | @a史蒂文 H. 沃尔德曼, 作为IBM研发团队的一员已经有25年的历史, 主要致力于半导体器件物理、器件设计和可靠性 (如软失效率、热电子、漏电机制、闩锁、ESD和EOS) 的研究工作。 | |
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| 330 | @a本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 | |
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| 过电应力 (EOS) 器件、电路与系统/(美) 史蒂文 H. 沃尔德曼著= Electrical overstress (EOS)：devices, circuits and systems/Steven H.Voldman/雷鑑铭等译.-北京：机械工业出版社，2016.03 |
| xx, 286页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) |
| ISBN 978-7-111-52318-5：CNY79.00 |
| 本书系统地介绍了过电应力 (EOS) 器件、电路与系统设计, 并给出了大量实例, 将EOS理论工程化。主要内容有EOS基础、EOS现象、EOS成因、EOS源、EOS物理及EOS失效机制, EOS电路与系统设计及EDA, 半导体器件、电路与系统中的EOS失效及EOS片上与系统设计。本书是作者半导体器件可靠性系列书籍的延续。对于专业模拟集成电路及射频集成电路设计工程师, 以及系统ESD工程师具有较高的参考价值。随着纳米电子时代的到来, 本书是一本重要的参考书, 同时也是面向现代技术问题有益的启示。 |
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正题名：过电应力 (EOS) 器件、电路与系统
索取号：TN60/W705
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