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题名：	功率半导体异质耐压层电荷场优化技术
作者：	吴丽娟著
分册：
出版信息：	北京北京邮电大学出版社 2019.02
页数：	192页
开本：	26cm
丛书名：	“十三五”科学技术专著丛书
单册：
中图分类：	TN303
科图分类：
主题词：	功率半导体器件--gong shuai ban dao ti qi jian--研究
电子资源：
ISBN：	978-7-5635-5661-8

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320		@a有书目 (第190-191页)
330		@a本书第1章首先介绍功率半导体的相关内容, 然后在此基础上介绍横向功率器件耐压层、耐压层的作用基础与分析方法、耐压层的特殊性 ; 第2章介绍异质耐压层分类和工作机理 ; 第3章分析ENDIF耐压层电荷场优化方法 ; 第4章分析VFP耐压层电荷场优化方法 ; 第5章分析HK耐压层极化电荷场优化方法 ; 第6章分析CCL SJ耐压层电荷场优化方法 ; 第7章分析GC耐压层电荷场优化方法。功率器件中耐压层结构从耐压角度上可分为两大类, 从而形成耐压ENDIF和辅助耗尽两种应用需求。
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功率半导体异质耐压层电荷场优化技术/吴丽娟著.-北京：北京邮电大学出版社，2019.02

192页：图；26cm.-(“十三五”科学技术专著丛书)

ISBN 978-7-5635-5661-8：CNY59.00

本书第1章首先介绍功率半导体的相关内容, 然后在此基础上介绍横向功率器件耐压层、耐压层的作用基础与分析方法、耐压层的特殊性 ; 第2章介绍异质耐压层分类和工作机理 ; 第3章分析ENDIF耐压层电荷场优化方法 ; 第4章分析VFP耐压层电荷场优化方法 ; 第5章分析HK耐压层极化电荷场优化方法 ; 第6章分析CCL SJ耐压层电荷场优化方法 ; 第7章分析GC耐压层电荷场优化方法。功率器件中耐压层结构从耐压角度上可分为两大类, 从而形成耐压ENDIF和辅助耗尽两种应用需求。

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序号	登录号	条形码	馆藏地/架位号	状态	备注
1	1416108	214161084	自科库301/301自科库 19排2列1层/ [索取号:TN303/W822]	在馆
2	1416109	214161093	自科库301/301自科库 19排2列1层/ [索取号:TN303/W822]	在馆