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000
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02095nam 2200385 450
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001
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CAL 0120182578708
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010
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@a978-7-111-60578-2@dCNY79.00
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100
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@a20191007d2018 em y0chiy50 ea
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101
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1
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@achi@ceng
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@aCN@b110000
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@aack a 000yy
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200
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1
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@a氮化镓功率晶体管@Adan hua jia gong lv jing ti guan@e器件、电路与应用@f(美) 亚历克斯·利多 ... [等] 著@g段宝兴, 杨银堂译
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210
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@a北京@c机械工业出版社@d2018.09
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215
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@aXII, 222页@c图, 肖像@d24cm
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225
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2
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@a电子科学与工程系列图书@Adian zi ke xue yu gong cheng xi lie tu shu
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304
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@a题名页题其余责任者: 约翰·斯其顿, 迈克尔·德·罗伊, 戴维·罗伊施
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305
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@a据原书第2版译出
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@a由Wiley授权出版
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@a英文题名取自封面
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@a亚历克斯·利多博士, 宜普电源转换公司CEO、国际整流器公司原CEO。约翰·斯其顿博士, EPC公司应用副总裁。迈克尔·德·罗伊博士, EPC公司应用工程执行总监。戴维·罗伊施博士, EPC公司应用总监。段宝兴博士, 西安电子科技大学教授、博士生导师。杨银堂博士, 西安电子科技大学副书记、教授、博士生导师。
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@a有书目
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@a本书共包括11章: 第1章概述了氮化镓 (GaN) 技术 ; 第2章介绍了GaN晶体管的器件物理 ; 第3章介绍了GaN晶体管的驱动 ; 第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计 ; 第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量 ; 第6章详细介绍了硬开关技术 ; 第7章详细介绍了软开关技术和变换器 ; 第8章介绍了GaN射频特性 ; 第9章讨论了GaN晶体管的空间应用 ; 第10章列举了GaN晶体管的应用实例 ; 第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。
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0
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@12001 @a电子科学与工程系列图书
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@aGaN transistors for efficient power conversion@mChinese
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@a器件、电路与应用@Aqi jian 、 dian lu yu ying yong
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@a氮化镓@Adan hua jia@x功率晶体管@x研究
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@aTN323@v5
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@a斯其顿@Asi qi dun@g(Strydom, Johan)@4著
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@a罗伊@Aluo yi@g(Rooij, Michael de)@4著
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@a罗伊施@Aluo yi shi@g(Reusch, David)@4著
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701
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@a利多@Ali duo@g(Lidow, Alex)@4著
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0
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@a杨银堂,@Ayang yin tang@f1962-@4译
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0
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@a段宝兴,@Aduan bao xing@f1977-@4译
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801
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0
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@aCN@c20191007
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905
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@a河南城建学院图书馆@dTN323@eL365
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| 氮化镓功率晶体管：器件、电路与应用/(美) 亚历克斯·利多 ... [等] 著/段宝兴, 杨银堂译.-北京：机械工业出版社，2018.09 |
| XII, 222页：图, 肖像；24cm.-(电子科学与工程系列图书) |
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| ISBN 978-7-111-60578-2：CNY79.00 |
| 本书共包括11章: 第1章概述了氮化镓 (GaN) 技术 ; 第2章介绍了GaN晶体管的器件物理 ; 第3章介绍了GaN晶体管的驱动 ; 第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计 ; 第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量 ; 第6章详细介绍了硬开关技术 ; 第7章详细介绍了软开关技术和变换器 ; 第8章介绍了GaN射频特性 ; 第9章讨论了GaN晶体管的空间应用 ; 第10章列举了GaN晶体管的应用实例 ; 第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 |
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正题名：氮化镓功率晶体管
索取号：TN323/L365
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1433081
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214330810
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自科库301/301自科库 26排1列4层/
[索取号:TN323/L365]
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在馆
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2
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1433082
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214330829
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自科库301/301自科库 26排1列4层/
[索取号:TN323/L365]
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在馆
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