书目信息 |
| 题名： |
氮化镓功率晶体管
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| 作者： | 斯其顿 ， 罗伊 ， 罗伊施 ， 利多 著 ；杨银堂, ， 段宝兴, 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2018.09 |
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| 页数： | XII, 222页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电子科学与工程系列图书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN323 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 氮化镓--dan hua jia--功率晶体管--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-60578-2 | |
| 000 | 02095nam 2200385 450 | |
| 001 | CAL 0120182578708 | |
| 010 | @a978-7-111-60578-2@dCNY79.00 | |
| 100 | @a20191007d2018 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aack a 000yy | |
| 200 | 1 | @a氮化镓功率晶体管@Adan hua jia gong lv jing ti guan@e器件、电路与应用@f(美) 亚历克斯·利多 ... [等] 著@g段宝兴, 杨银堂译 |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2018.09 | |
| 215 | @aXII, 222页@c图, 肖像@d24cm | |
| 225 | 2 | @a电子科学与工程系列图书@Adian zi ke xue yu gong cheng xi lie tu shu |
| 304 | @a题名页题其余责任者: 约翰·斯其顿, 迈克尔·德·罗伊, 戴维·罗伊施 | |
| 305 | @a据原书第2版译出 | |
| 306 | @a由Wiley授权出版 | |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 314 | @a亚历克斯·利多博士, 宜普电源转换公司CEO、国际整流器公司原CEO。约翰·斯其顿博士, EPC公司应用副总裁。迈克尔·德·罗伊博士, EPC公司应用工程执行总监。戴维·罗伊施博士, EPC公司应用总监。段宝兴博士, 西安电子科技大学教授、博士生导师。杨银堂博士, 西安电子科技大学副书记、教授、博士生导师。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书共包括11章: 第1章概述了氮化镓 (GaN) 技术 ; 第2章介绍了GaN晶体管的器件物理 ; 第3章介绍了GaN晶体管的驱动 ; 第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计 ; 第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量 ; 第6章详细介绍了硬开关技术 ; 第7章详细介绍了软开关技术和变换器 ; 第8章介绍了GaN射频特性 ; 第9章讨论了GaN晶体管的空间应用 ; 第10章列举了GaN晶体管的应用实例 ; 第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a电子科学与工程系列图书 |
| 500 | 10 | @aGaN transistors for efficient power conversion@mChinese |
| 517 | 1 | @a器件、电路与应用@Aqi jian 、 dian lu yu ying yong |
| 606 | 0 | @a氮化镓@Adan hua jia@x功率晶体管@x研究 |
| 690 | @aTN323@v5 | |
| 701 | 1 | @a斯其顿@Asi qi dun@g(Strydom, Johan)@4著 |
| 701 | 1 | @a罗伊@Aluo yi@g(Rooij, Michael de)@4著 |
| 701 | 1 | @a罗伊施@Aluo yi shi@g(Reusch, David)@4著 |
| 701 | 1 | @a利多@Ali duo@g(Lidow, Alex)@4著 |
| 702 | 0 | @a杨银堂,@Ayang yin tang@f1962-@4译 |
| 702 | 0 | @a段宝兴,@Aduan bao xing@f1977-@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@c20191007 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN323@eL365 | |
| 氮化镓功率晶体管：器件、电路与应用/(美) 亚历克斯·利多 ... [等] 著/段宝兴, 杨银堂译.-北京：机械工业出版社，2018.09 |
| XII, 222页：图, 肖像；24cm.-(电子科学与工程系列图书) |
| ISBN 978-7-111-60578-2：CNY79.00 |
| 本书共包括11章: 第1章概述了氮化镓 (GaN) 技术 ; 第2章介绍了GaN晶体管的器件物理 ; 第3章介绍了GaN晶体管的驱动 ; 第4章介绍了GaN晶体管电路的版图设计 ; 第5章讨论了GaN晶体管的建模和测量 ; 第6章详细介绍了硬开关技术 ; 第7章详细介绍了软开关技术和变换器 ; 第8章介绍了GaN射频特性 ; 第9章讨论了GaN晶体管的空间应用 ; 第10章列举了GaN晶体管的应用实例 ; 第11章分析了GaN晶体管替代硅功率晶体管的原因。 |
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正题名：氮化镓功率晶体管
索取号：TN323/L365
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| 1 | 1433081 | 214330810 | 自科库301/301自科库 19排2列5层/ [索取号:TN323/L365] | 在馆 | |
| 2 | 1433082 | 214330829 | 自科库301/301自科库 19排2列5层/ [索取号:TN323/L365] | 在馆 |