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000
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01394nam 2200289 450
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001
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CAL 0120203131815
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010
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@a978-7-302-55882-8@dCNY168.00
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100
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@a20220906d2020 em y0chiy50 ea
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1
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@achi@cdut
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102
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@aCN@b110000
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@aa z 001yy
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@ar
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200
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1
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@a模拟集成电路设计精粹@Amo ni ji cheng dian lu she ji jing cui@f(比) 桑森著@d= Analog design essentials@fWilly M.C. Sansen@g陈莹梅译@zeng
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210
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@a北京@c清华大学出版社@d2020.12
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@a563页@c图 (部分彩图)@d26cm
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225
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2
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@a电子信息前沿技术丛书@Adian zi xin xi qian yan ji shu cong shu
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314
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@a桑森, 教授, IEEE终身Fellow, ISSCC-2002会议的执行主席, IEEE固态电路委员会副主席。陈莹梅, 工学博士, 东南大学教授、博士生导师。
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@a有索引
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@a本书提供了模拟集成电路分析和设计的新观点, 作者首先对MOSFET和BJT两种器件模型进行了分析和比较 ; 然后以此为两条线素, 分别介绍相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析, 随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC/DAC和振荡器电路, 每一章都结合MOSFET和BJT两种类型电路进行分析比较。
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410
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0
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@12001 @a电子信息前沿技术丛书
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1
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@aAnalog design essentials@zeng
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606
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0
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@a模拟集成电路@Amo ni ji cheng dian lu@x电路设计
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690
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@aTN431.102@v5
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701
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1
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@a桑森@Asang sen@g(Sansen, Willy M. C.)@4著
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702
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0
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@a陈莹梅@Achen ying mei@4译
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801
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0
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@aCN@c20220906
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905
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@a河南城建学院图书馆@dTN431.102@eS034-2@f1
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| 模拟集成电路设计精粹/(比) 桑森著= Analog design essentials/Willy M.C. Sansen/陈莹梅译.-北京：清华大学出版社，2020.12 |
| 563页：图 (部分彩图)；26cm.-(电子信息前沿技术丛书) |
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| ISBN 978-7-302-55882-8：CNY168.00 |
| 本书提供了模拟集成电路分析和设计的新观点, 作者首先对MOSFET和BJT两种器件模型进行了分析和比较 ; 然后以此为两条线素, 分别介绍相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析, 随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC/DAC和振荡器电路, 每一章都结合MOSFET和BJT两种类型电路进行分析比较。 |
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正题名：模拟集成电路设计精粹
索取号：TN431.102/S034-2
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1564520
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215645201
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自科库301/301自科库 28排1列1层/
[索取号:TN431.102/S034-2]
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在馆
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