书目信息 |
| 题名： |
模拟集成电路设计精粹
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| 作者： | 桑森 著 ；陈莹梅 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 清华大学出版社 2020.12 |
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| 页数： | 563页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | 电子信息前沿技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN431.102 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 模拟集成电路--mo ni ji cheng dian lu--电路设计 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-302-55882-8 | |
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| 314 | @a桑森, 教授, IEEE终身Fellow, ISSCC-2002会议的执行主席, IEEE固态电路委员会副主席。陈莹梅, 工学博士, 东南大学教授、博士生导师。 | |
| 320 | @a有索引 | |
| 330 | @a本书提供了模拟集成电路分析和设计的新观点, 作者首先对MOSFET和BJT两种器件模型进行了分析和比较 ; 然后以此为两条线素, 分别介绍相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析, 随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC/DAC和振荡器电路, 每一章都结合MOSFET和BJT两种类型电路进行分析比较。 | |
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| 模拟集成电路设计精粹/(比) 桑森著= Analog design essentials/Willy M.C. Sansen/陈莹梅译.-北京：清华大学出版社，2020.12 |
| 563页：图 (部分彩图)；26cm.-(电子信息前沿技术丛书) |
| ISBN 978-7-302-55882-8：CNY168.00 |
| 本书提供了模拟集成电路分析和设计的新观点, 作者首先对MOSFET和BJT两种器件模型进行了分析和比较 ; 然后以此为两条线素, 分别介绍相应的基本单元电路和各类放大器的详细分析, 随后的章节分别研究噪声、失真、滤波器、ADC/DAC和振荡器电路, 每一章都结合MOSFET和BJT两种类型电路进行分析比较。 |
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正题名：模拟集成电路设计精粹
索取号：TN431.102/S034-2
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| 1 | 1564520 | 215645201 | 自科库301/301自科库 36排2列4层/ [索取号:TN431.102/S034-2] | 在馆 |