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@a石墨烯薄膜制备@Ashi mo xi bo mo zhi bei@f李雪松, 陈远富, 青芳竹编著
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@a北京@c化学工业出版社@d2019.06
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@a234页@c图@d24cm
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@a石墨烯技术前沿丛书@Ashi mo xi ji shu qian yan cong shu
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@a本书主要介绍基于CVD法 (包括等离子增强CVD法) 的石墨烯薄膜制备技术。全书共8章, 第1章为石墨烯的概括性简介, 以方便读者对石墨烯有一个总体的认识。第2章是对CVD技术的基础性介绍, 尤其是与石墨烯薄膜制备相关的通用知识。第3-5章详细介绍了基于金属基底, 主要是铜基底的石墨烯CVD制备技术, 其中第3章为石墨烯的成核与生长, 偏重于理论研究的介绍 ; 第4章是对如何控制石墨烯的成核及进而获得大面积石墨烯单晶的工艺总结 ; 第5章则对石墨烯的层数控制从原理上和影响因素上进行了分析。第6章是石墨烯转移技术的总结。第7章是对石墨烯薄膜工业化制备的探讨与总结, 包括低温制备技术、非金属基底直接生长技术, 以及大面积规模化制备技术。第8章对现有技术面临的挑战做了简单的总结, 并展望了其发展趋势和前景。
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@a河南城建学院图书馆@dTB383@eL300
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| 石墨烯薄膜制备/李雪松, 陈远富, 青芳竹编著.-北京：化学工业出版社，2019.06 |
| 234页：图；24cm.-(石墨烯技术前沿丛书) |
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| ISBN 978-7-122-33752-8：CNY88.00 |
| 本书主要介绍基于CVD法 (包括等离子增强CVD法) 的石墨烯薄膜制备技术。全书共8章, 第1章为石墨烯的概括性简介, 以方便读者对石墨烯有一个总体的认识。第2章是对CVD技术的基础性介绍, 尤其是与石墨烯薄膜制备相关的通用知识。第3-5章详细介绍了基于金属基底, 主要是铜基底的石墨烯CVD制备技术, 其中第3章为石墨烯的成核与生长, 偏重于理论研究的介绍 ; 第4章是对如何控制石墨烯的成核及进而获得大面积石墨烯单晶的工艺总结 ; 第5章则对石墨烯的层数控制从原理上和影响因素上进行了分析。第6章是石墨烯转移技术的总结。第7章是对石墨烯薄膜工业化制备的探讨与总结, 包括低温制备技术、非金属基底直接生长技术, 以及大面积规模化制备技术。第8章对现有技术面临的挑战做了简单的总结, 并展望了其发展趋势和前景。 |
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正题名：石墨烯薄膜制备
索取号：TB383/L300
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1433097
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214330972
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期刊室512/501自科库 14排1列4层/
[索取号:TB383/L300]
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在馆
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2
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1433098
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214330981
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自科库501/501自科库 14排1列4层/
[索取号:TB383/L300]
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在馆
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