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01201nam0 2200301 450
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142452
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005
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20141221133757.45
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@a978-7-03-039217-6@dCNY 68.00
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@a20140127d2014 em y0chiy50 ea
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@achi@ceng
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@aCN@b110000
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@aa z 000yy
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@a深亚微米CMOS模拟集成电路设计@9shen ya wei mi CMOS mo ni ji cheng dian lu she ji@b专著@f(美)宋邦燮著@F(mei)song bang xie zhu@g刘力源译
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@a北京@c科学出版社@d2014
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@a14,365页@c图@d24cm
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@a书名原文：Micro CMOS design
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@a本书着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。
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@aMicro CMOS design@zeng
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@aCMOS电路@x模拟集成电路@x电路设计
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@a模拟集成电路
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0
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@a电路设计
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0
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@aCMOS电路
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@aTN432.02@v5
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701
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0
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@c(美)@a宋邦燮@9song bang xie@c(Song, Bang-Sup)@4著
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701
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0
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@a宋邦燮@Asong bang xie@4著
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702
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0
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@a刘力源@9liu li yuan@4译
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801
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0
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@c20141221
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905
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@a241430@dTN432.02@eS755
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| 深亚微米CMOS模拟集成电路设计/(美)宋邦燮著/刘力源译.-北京：科学出版社，2014 |
| 14,365页：图；24cm |
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| ISBN 978-7-03-039217-6：CNY 68.00 |
| 本书着眼于电路设计，首先介绍双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物半导体（MOS）晶体管的抽象模型，然后介绍如何利用晶体管构建更大的系统。主要内容包括：运算放大器、数据转换器、奈奎斯特数据转换器、过采样数据转换器、高精度数据转换器、锁相环、频率综合和时钟恢复等。 |
| ● |
正题名：深亚微米CMOS模拟集成电路设计
索取号：TN432.02/S755
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1134967
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211349673
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自科二线404/301自科库 21排1列1层/
[索取号:TN432.02/S755]
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在馆
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2
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1134968
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211349682
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自科库301/301自科库 28排2列1层/
[索取号:TN432.02/S755]
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在馆
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自科库301/301自科库 28排2列1层/
[索取号:TN432.02/S755]
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在馆
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