|
000
|
01428nam 2200313 450
|
|
001
|
202021194467
|
|
005
|
20211025120147.0
|
|
010
|
|
@a978-7-111-68175-5@dCNY99.00
|
|
100
|
|
@a20211005d2021 em y0chiy50 ea
|
|
101
|
0
|
@achi
|
|
102
|
|
@aCN@b110000
|
|
105
|
|
@aa a 000yy
|
|
106
|
|
@ar
|
|
200
|
1
|
@a碳化硅功率器件@Atan hua gui gong lv qi jian@e特性、测试和应用技术@f高远, 陈桥梁编著
|
|
210
|
|
@a北京@c机械工业出版社@d2021.07
|
|
215
|
|
@aXIV, 311页@c图@d24cm
|
|
225
|
2
|
@a电力电子新技术系列图书@Adian li dian zi xin ji shu xi lie tu shu
|
|
312
|
|
@a英文题名取自封面
|
|
320
|
|
@a有书目
|
|
330
|
|
@a本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。
|
|
410
|
0
|
@12001 @a电力电子新技术系列图书
|
|
510
|
1
|
@aCharacteristics, testing and applications@echaracteristics, testing and applications@zeng
|
|
517
|
1
|
@a特性、测试和应用技术@Ate xing 、 ce shi he ying yong ji shu
|
|
606
|
0
|
@a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian
|
|
690
|
|
@aTN303@v5
|
|
701
|
0
|
@a高远@Agao yuan@4编著
|
|
701
|
0
|
@a陈桥梁@Achen qiao liang@4编著
|
|
801
|
0
|
@aCN@c20210909
|
|
905
|
|
@a河南城建学院图书馆@dTN303@eG205
|
|
|
|
|
| |
| 碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁编著.-北京：机械工业出版社，2021.07 |
| XIV, 311页：图；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| |
| |
| ISBN 978-7-111-68175-5：CNY99.00 |
| 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
| ● |
正题名：碳化硅功率器件
索取号：TN303/G205
预约/预借
| 序号
|
登录号
|
条形码
|
馆藏地/架位号
|
状态
|
备注
|
|
1
|
1543595
|
215435955
|
自科库301/301自科库 25排4列3层/
[索取号:TN303/G205]
|
在馆
|
|
|
2
|
1543596
|
215435964
|
自科库301/301自科库 25排4列3层/
[索取号:TN303/G205]
|
在馆
|
|
