书目信息 |
| 题名： |
碳化硅功率器件
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| 作者： | 高远 ， 陈桥梁 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2021.07 |
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| 页数： | XIV, 311页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电力电子新技术系列图书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-68175-5 | |
| 000 | 01428nam 2200313 450 | |
| 001 | 202021194467 | |
| 005 | 20211025120147.0 | |
| 010 | @a978-7-111-68175-5@dCNY99.00 | |
| 100 | @a20211005d2021 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a碳化硅功率器件@Atan hua gui gong lv qi jian@e特性、测试和应用技术@f高远, 陈桥梁编著 |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2021.07 | |
| 215 | @aXIV, 311页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a电力电子新技术系列图书@Adian li dian zi xin ji shu xi lie tu shu |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a电力电子新技术系列图书 |
| 510 | 1 | @aCharacteristics, testing and applications@echaracteristics, testing and applications@zeng |
| 517 | 1 | @a特性、测试和应用技术@Ate xing 、 ce shi he ying yong ji shu |
| 606 | 0 | @a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian |
| 690 | @aTN303@v5 | |
| 701 | 0 | @a高远@Agao yuan@4编著 |
| 701 | 0 | @a陈桥梁@Achen qiao liang@4编著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20210909 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN303@eG205 | |
| 碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁编著.-北京：机械工业出版社，2021.07 |
| XIV, 311页：图；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| ISBN 978-7-111-68175-5：CNY99.00 |
| 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
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正题名：碳化硅功率器件
索取号：TN303/G205
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| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1543595 | 215435955 | 自科库301/301自科库 19排1列5层/ [索取号:TN303/G205] | 在馆 | |
| 2 | 1543596 | 215435964 | 自科库301/301自科库 19排1列5层/ [索取号:TN303/G205] | 在馆 |