书目信息 |
| 题名： |
碳化硅功率器件
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| 作者： | 高远 ， 陈桥梁 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2021.07 |
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| 页数： | XIV, 311页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 电力电子新技术系列图书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-68175-5 | |
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| 330 | @a本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 | |
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| 碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术/高远, 陈桥梁编著.-北京：机械工业出版社，2021.07 |
| XIV, 311页：图；24cm.-(电力电子新技术系列图书) |
| ISBN 978-7-111-68175-5：CNY99.00 |
| 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对 —— crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。 |
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正题名：碳化硅功率器件
索取号：TN303/G205
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| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1543595 | 215435955 | 自科库301/301自科库 34排2列1层/ [索取号:TN303/G205] | 在馆 | |
| 2 | 1543596 | 215435964 | 自科库301/301自科库 34排2列1层/ [索取号:TN303/G205] | 在馆 |