书目信息 | 
| 题名: | 
             
                CMOS纳米电子学
             
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| 作者: | 伊涅夫斯基 主编 ;张德明 译 | |
| 分册: | ||
| 出版信息: | 北京 机械工业出版社 2025.01 | 
           
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| 页数: | 437页 | |
| 开本: | 24cm | |
| 丛书名: | 集成电路大师级系列 | |
| 单 册: | ||
| 中图分类: | TN432.02 | |
| 科图分类: | ||
| 主题词: | 纳米材料--na mi cai liao--CMOS电路--超大规模集成电路--电路设计 | |
| 电子资源: | ||
| ISBN: | 978-7-111-76585-1 | |
| 000 | 02143nam 2200313 450 | |
| 001 | 91874 | |
| 005 | 20250817151745.17 | |
| 010 | @a978-7-111-76585-1@dCNY129.00 | |
| 100 | @a20250108d2025 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng | 
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @aCMOS纳米电子学@ACMOS na mi dian zi xue@e模拟和射频超大规模集成电路@f(加) 克日什托夫·伊涅夫斯基主编@d= СMOS nanoelectronics@eanalog and RF VLSI circuits@fKrzysztof Iniewski@g张德明 ... [等] 译@zeng | 
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2025.01 | |
| 215 | @a437页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a集成电路大师级系列@Aji cheng dian lu da shi ji xi lie | 
| 314 | @a克日什托夫·伊涅夫斯基, 博士,Redlen 技术公司研发主管, CMOS新兴技术公司执行理事, 资深电子工程师。张德明, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 入选中国博士后创新人才支持计划, 山东省泰山学者青年专家。伍连博, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 国家级高层次青年人才。张慧, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院研究员, 博士生导师, 国家级高层次人才。 | |
| 320 | @a有书目 (第436-437页) | |
| 330 | @a本书主要分为三部分: 射频电路、高速电路和高精度电路。射频电路部分首先介绍了纳米级CMOS电路设计所面临的挑战以及面临的主要设计问题 ; 其次详细介绍了射频收发器设计 (包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块) 、全数字射频信号发生器设计、倍频器和射频信号滤波器的设计, 以及功率放大器的设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环相关概念和原理、延迟锁相环的设计, 以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计所面临的挑战、1/f降噪技术、ΣΔ设计, 以及用于电力线通信的模/数转换器。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a集成电路大师级系列 | 
| 500 | 10 | @aСMOS nanoelectronics : analog and RF VLSI circuits@mChinese | 
| 517 | 1 | @a模拟和射频超大规模集成电路@Amo ni he she pin chao da gui mo ji cheng dian lu | 
| 606 | 0 | @a纳米材料@Ana mi cai liao@xCMOS电路@x超大规模集成电路@x电路设计 | 
| 690 | @aTN432.02@v5 | |
| 701 | 1 | @a伊涅夫斯基@Ayi nie fu si ji@g(Iniewski, Krzysztof)@4主编 | 
| 702 | 0 | @a张德明@Azhang de ming@4译 | 
| 801 | 0 | @aCN@c20250909 | 
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN432.02@eY494@f1 | |
| CMOS纳米电子学:模拟和射频超大规模集成电路/(加) 克日什托夫·伊涅夫斯基主编= СMOS nanoelectronics:analog and RF VLSI circuits/Krzysztof Iniewski/张德明 ... [等] 译.-北京:机械工业出版社,2025.01 | 
| 437页:图;24cm.-(集成电路大师级系列) | 
| ISBN 978-7-111-76585-1:CNY129.00 | 
| 本书主要分为三部分: 射频电路、高速电路和高精度电路。射频电路部分首先介绍了纳米级CMOS电路设计所面临的挑战以及面临的主要设计问题 ; 其次详细介绍了射频收发器设计 (包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块) 、全数字射频信号发生器设计、倍频器和射频信号滤波器的设计, 以及功率放大器的设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环相关概念和原理、延迟锁相环的设计, 以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计所面临的挑战、1/f降噪技术、ΣΔ设计, 以及用于电力线通信的模/数转换器。 | 
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    正题名:CMOS纳米电子学    
    
    索取号:TN432.02/Y494     
   
        
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