000
01835nam 2200337 450
001
012017002560
010
@ a978-7-111-49307-5@ dCNY99.00
100
@ a20150523d2015 em y0chiy50 ea
101
1
@ achi@ ceng
102
@ aCN@ b110000
105
@ aa z 000yy
106
@ ar
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1
@ a先进的高压大功率器件@ Axian jin de gao ya da gong lv qi jian@ e原理、特性和应用@ d= Advanced high voltage power device concepts@ f(美) B.Jayant Baliga著@ F(mei) B.Jayant Baligazhu@ g于坤山 ... [等] 译@ zeng
210
@ a北京@ c机械工业出版社@ d2015.05
215
@ axiv, 442页@ c图@ d24cm
225
2
@ a国际电气工程先进技术译丛@ Aguo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong
304
@ a题名页题: 于坤山, 金锐, 杨霏, 赵志斌, 齐磊译
306
@ a本书中文简体字版Springer授权机械工业出版社出版
314
@ a责任者规范汉译姓: 巴利加
314
@ a B.Jayant Baliga, 功率半导体器件领域的国际著名专家, IGBT器件的发明人。
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@ a本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。
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@ 12001 @ a国际电气工程先进技术译丛
500
10
@ aAdvanced high voltage power device concepts@ mChinese
517
1
@ a原理、特性和应用@ Ayuan li 、te xing he ying yong
606
0
@ a大功率@ Ada gong lv@ x功率半导体器件
690
@ aTN303@ v5
701
1
@ a巴利加@ Aba li jia@ g(Baliga, B. Jayant)@ 4著
702
0
@ a于坤山@ Ayu kun shan@ 4译
702
0
@ a金锐@ Ajin rui@ 4译
801
0
@ aCN@ c20170817
905
@ a河南城建学院图书馆@ b21324273@ dTN303@ eB042@ f1
先进的高压大功率器件：原理、特性和应用= Advanced high voltage power device concepts/(美) B.Jayant Baliga著/于坤山 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2015.05 xiv, 442页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) ISBN 978-7-111-49307-5：CNY99.00 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。 ●
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