书目信息 |
| 题名： |
先进的高压大功率器件
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| 作者： | 巴利加 著 ；于坤山 ， 金锐 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2015.05 |
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| 页数： | xiv, 442页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 国际电气工程先进技术译丛 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 大功率--da gong lv--功率半导体器件 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-49307-5 | |
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| 304 | @a题名页题: 于坤山, 金锐, 杨霏, 赵志斌, 齐磊译 | |
| 306 | @a本书中文简体字版Springer授权机械工业出版社出版 | |
| 314 | @a责任者规范汉译姓: 巴利加 | |
| 314 | @a B.Jayant Baliga, 功率半导体器件领域的国际著名专家, IGBT器件的发明人。 | |
| 330 | @a本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。 | |
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| 先进的高压大功率器件：原理、特性和应用= Advanced high voltage power device concepts/(美) B.Jayant Baliga著/于坤山 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2015.05 |
| xiv, 442页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) |
| ISBN 978-7-111-49307-5：CNY99.00 |
| 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。 |
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正题名：先进的高压大功率器件
索取号：TN303/B042
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