书目信息 |
| 题名： |
先进的高压大功率器件
|
|
| 作者： | 巴利加 著 ；于坤山 ， 金锐 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2015.05 |
|
| 页数： | xiv, 442页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 国际电气工程先进技术译丛 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 大功率--da gong lv--功率半导体器件 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-49307-5 | |
| 000 | 01835nam 2200337 450 | |
| 001 | 012017002560 | |
| 010 | @a978-7-111-49307-5@dCNY99.00 | |
| 100 | @a20150523d2015 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa z 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a先进的高压大功率器件@Axian jin de gao ya da gong lv qi jian@e原理、特性和应用@d= Advanced high voltage power device concepts@f(美) B.Jayant Baliga著@F(mei) B.Jayant Baligazhu@g于坤山 ... [等] 译@zeng |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2015.05 | |
| 215 | @axiv, 442页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a国际电气工程先进技术译丛@Aguo ji dian qi gong cheng xian jin ji shu yi cong |
| 304 | @a题名页题: 于坤山, 金锐, 杨霏, 赵志斌, 齐磊译 | |
| 306 | @a本书中文简体字版Springer授权机械工业出版社出版 | |
| 314 | @a责任者规范汉译姓: 巴利加 | |
| 314 | @a B.Jayant Baliga, 功率半导体器件领域的国际著名专家, IGBT器件的发明人。 | |
| 330 | @a本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a国际电气工程先进技术译丛 |
| 500 | 10 | @aAdvanced high voltage power device concepts@mChinese |
| 517 | 1 | @a原理、特性和应用@Ayuan li 、te xing he ying yong |
| 606 | 0 | @a大功率@Ada gong lv@x功率半导体器件 |
| 690 | @aTN303@v5 | |
| 701 | 1 | @a巴利加@Aba li jia@g(Baliga, B. Jayant)@4著 |
| 702 | 0 | @a于坤山@Ayu kun shan@4译 |
| 702 | 0 | @a金锐@Ajin rui@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@c20170817 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@b21324273@dTN303@eB042@f1 | |
| 先进的高压大功率器件：原理、特性和应用= Advanced high voltage power device concepts/(美) B.Jayant Baliga著/于坤山 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2015.05 |
| xiv, 442页：图；24cm.-(国际电气工程先进技术译丛) |
| ISBN 978-7-111-49307-5：CNY99.00 |
| 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT.碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构。第10章介绍了发射极开关晶闸管 (EST)。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：先进的高压大功率器件
索取号：TN303/B042
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1324273 | 213242739 | 自科库301/301自科库 19排1列5层/ [索取号:TN303/B042] | 在馆 |