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书名:
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薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模
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作者:
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雷东
著
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出版信息:
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北京
电子工业出版社
2016.08
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开本页数:
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26cm 
154页
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丛书名:
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单 册:
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中图分类:
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TN321
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科图分类:
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主题词:
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薄膜晶体管--研究
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电子资源:
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ISBN:
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978-7-121-29394-8
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000
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01239nam0 2200241 450
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001
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1016981
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010
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@a978-7-121-29394-8@dCNY39.00
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098
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@a1016981
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100
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@a20171025d2016 em y0chiy50 ea
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101
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0
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@achi
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102
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@aCN@b110000
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@aa z 000yy
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@a薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模@Abao mo jing ti guan wu li、gong yi yu SPICE jian mo@f雷东著
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@a北京@c电子工业出版社@d2016.08
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@a154页@c图@d26cm
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@a封面英文题名:Physics, process technology and SPICE modeling for thin-film transistor
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@a本书以显示面板设计和制造过程中的经验为依据,详细分析并阐述了TFT的器件物理、制造工艺以及SPICE建模的相关内容。全书分为6章,第1章阐述了TFT用于平板显示的技术原理。第2章、第3章内容主要是针对a-Si TFT进行的分析和阐述。第3章则详细分析了a-Si TFT的SPICE模型。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工艺及SPICE模型。第6章针对目前新型的IGZO工艺进行了阐述,主要介绍了IGZO材料及器件的物理性质,以及业界广泛采用的IGZO TFT的结构和工艺过程。
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@aPhysics, process technology and SPICE modeling for thin-film transistor@zeng
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606
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0
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@a薄膜晶体管@x研究
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690
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@aTN321@v5
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701
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0
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@a雷东@Alei dong@4著
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801
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0
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@aCN@c20171025
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905
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@a河南城建学院图书馆@dTN321@eL079@f2
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| 薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模/雷东著.-北京:电子工业出版社,2016.08 |
| 154页:图;26cm |
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| ISBN 978-7-121-29394-8:CNY39.00 |
| 本书以显示面板设计和制造过程中的经验为依据,详细分析并阐述了TFT的器件物理、制造工艺以及SPICE建模的相关内容。全书分为6章,第1章阐述了TFT用于平板显示的技术原理。第2章、第3章内容主要是针对a-Si TFT进行的分析和阐述。第3章则详细分析了a-Si TFT的SPICE模型。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工艺及SPICE模型。第6章针对目前新型的IGZO工艺进行了阐述,主要介绍了IGZO材料及器件的物理性质,以及业界广泛采用的IGZO TFT的结构和工艺过程。 |
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正题名:薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模
索取号:TN321/L079
 
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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213458328
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自科库301/301自科库 26排1列4层/
[索取号:TN321/L079]
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在馆
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213458337
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自科库301/301自科库 26排1列4层/
[索取号:TN321/L079]
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在馆
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