书目信息 |
| 题名： |
纳米材料电化学
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| 作者： | 霍德斯 著 ；赵辉 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2006 |
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| 页数： | xv, 249页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 现代化学前沿译丛 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TB383 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 纳米材料--na mi cai liao--电化学 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 7-03-016490-3 | |
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| 330 | @a本书内容包括电沉积技术合成半导体纳米晶、量子点以及超晶格和多层膜: (光) 电化学刻蚀法制备多孔半导体 (包括多孔硅); 多孔半导体膜的光生电荷及输运现象; 染料敏化光电池; 自组装多层膜的电致、光致变色, 发光以及电荷的转移和输运。 | |
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| 纳米材料电化学/(德) G.霍兹等著/赵辉等译.-北京：科学出版社，2006 |
| xv, 249页：图；24cm.-(现代化学前沿译丛) |
| ISBN 7-03-016490-3：CNY40.00 |
| 本书内容包括电沉积技术合成半导体纳米晶、量子点以及超晶格和多层膜: (光) 电化学刻蚀法制备多孔半导体 (包括多孔硅); 多孔半导体膜的光生电荷及输运现象; 染料敏化光电池; 自组装多层膜的电致、光致变色, 发光以及电荷的转移和输运。 |
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正题名：纳米材料电化学
索取号：TB383/H965
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 661192 | 206611923 | 自科库501/501自科库 14排1列3层/ [索取号:TB383/H965] | 在馆 | |
| 2 | 661193 | 206611932 | 自科二线400A/400A自科库 31排1列3层/ [索取号:TB383/H965] | 在馆 | |
| 3 | 661194 | 206611941 | 自科二线504/504自科库 14排1列1层/ [索取号:TB383/H965] | 在馆 |