|
000
|
01276nam 2200289 450
|
|
001
|
CAL 0120202967708
|
|
010
|
|
@a978-7-302-53134-0@dCNY118.00
|
|
100
|
|
@a20200928d2020 em y0chiy50 ea
|
|
101
|
1
|
@achi@cita
|
|
102
|
|
@aCN@b110000
|
|
105
|
|
@aa z 000yy
|
|
200
|
1
|
@a三维存储芯片技术@Asan wei cun chu xin pian ji shu@f(圣马) 里诺·米歇洛尼著@d= 3D flash memories@fRino Micheloni@g吴华强, 高滨, 钱鹤译@zeng
|
|
210
|
|
@a北京@c清华大学出版社@d2020.02
|
|
215
|
|
@aXV, 277页@c图@d26cm
|
|
225
|
2
|
@a新视野电子电气科技丛书@Axin shi ye dian zi dian qi ke ji cong shu
|
|
306
|
|
@a由德国施普林格公司授权出版
|
|
330
|
|
@a本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。
|
|
410
|
0
|
@12001 @a新视野电子电气科技丛书
|
|
510
|
1
|
@a3D flash memories@zeng
|
|
606
|
0
|
@a集成芯片@Aji cheng xin pian@x研究
|
|
690
|
|
@aTN43@v5
|
|
701
|
1
|
@a米歇洛尼@Ami xie luo ni@g(Micheloni, Rino)@4著
|
|
702
|
0
|
@a吴华强@Awu hua qiang@4译
|
|
702
|
0
|
@a高滨@Agao bin@4译
|
|
702
|
0
|
@a钱鹤@Aqian he@4译
|
|
801
|
0
|
@aCN@c20200928
|
|
905
|
|
@a河南城建学院图书馆@dTN43@eM675
|
|
|
|
|
| |
| 三维存储芯片技术/(圣马) 里诺·米歇洛尼著= 3D flash memories/Rino Micheloni/吴华强, 高滨, 钱鹤译.-北京：清华大学出版社，2020.02 |
| XV, 277页：图；26cm.-(新视野电子电气科技丛书) |
| |
| |
| ISBN 978-7-302-53134-0：CNY118.00 |
| 本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。 |
| ● |
正题名：三维存储芯片技术
索取号：TN43/M675
预约/预借
| 序号
|
登录号
|
条形码
|
馆藏地/架位号
|
状态
|
备注
|
|
1
|
1464482
|
214644820
|
自科库301/301自科库 27排4列2层/
[索取号:TN43/M675]
|
在馆
|
|
