|
000
|
01001nam0 2200313 450
|
|
000
|
01020nam0 2200313 450
|
|
000
|
00983nam0 2200301 450
|
|
000
|
00940nam0 2200289 450
|
|
000
|
00929nam0 2200289 450
|
|
000
|
00892nam0 2200277 45
|
|
001
|
012005000000
|
|
005
|
20051214161850.73
|
|
010
|
|
@a7-03-015968-3@dCNY48.00
|
|
100
|
|
@a20051110d2005 em y0chiy0121 ea
|
|
101
|
0
|
@achi
|
|
102
|
|
@aCN@b110000
|
|
105
|
|
@ay z 000yy
|
|
200
|
1
|
@aSOI CMOS技术及其应用@ASOI CMOS ji shu ji qi ying yong@f黄如 … [等]编著
|
|
210
|
|
@a北京@c科学出版社@d2005.10
|
|
215
|
|
@a383页@d24cm
|
|
304
|
|
@a本书编著者为：黄如、张国艳、李映雪等
|
|
320
|
|
@a有书目
|
|
330
|
|
@a本书详细分析和阐述SOI MOS器件的主要基本特征和物理效应，包括浮体效应、短沟效应、窄沟效应、边缘效应等。
|
|
606
|
0
|
@a互补MOS集成电路@Ahu bu MOS ji cheng dian lu
|
|
610
|
0
|
@aCMOS
|
|
690
|
|
@aTN432@v4
|
|
701
|
0
|
@a黄如@Ahuang ru@4编著
|
|
801
|
0
|
@aCN@bSRXX@c20051214
|
|
905
|
|
@a10447@dTN432@eH870
|
|
|
|
|
| |
| SOI CMOS技术及其应用/黄如 … [等]编著.-北京：科学出版社，2005.10 |
| 383页；24cm |
| |
| |
| ISBN 7-03-015968-3：CNY48.00 |
| 本书详细分析和阐述SOI MOS器件的主要基本特征和物理效应，包括浮体效应、短沟效应、窄沟效应、边缘效应等。 |
| ● |
正题名：SOI CMOS技术及其应用
索取号：TN432/H870
预约/预借
| 序号
|
登录号
|
条形码
|
馆藏地/架位号
|
状态
|
备注
|
|
1
|
547532
|
205475323
|
期刊室512/301自科库 21排1列1层/
[索取号:TN432/H870]
|
在馆
|
|
|
2
|
547533
|
205475332
|
自科库301/301自科库 28排1列4层/
[索取号:TN432/H870]
|
在馆
|
|
|
3
|
547534
|
205475341
|
自科库301/301自科库 28排1列4层/
[索取号:TN432/H870]
|
在馆
|
|
