书目信息 |
| 题名： |
宽禁带半导体电子材料与器件
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| 作者： | 沈波 ， 唐宁 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2021.01 |
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| 页数： | xi, 316页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 先进功能材料丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN304.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 禁带--jin dai--半导体材料 , 禁带--jin dai--半导体器件 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-067440-1 | |
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| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 314 | @a沈波, 现为北京大学宽禁带半导体研究中心主任。唐宁, 北京大学长聘副教授, 博雅青年学者。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 | |
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| 宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著.-北京：科学出版社，2021.01 |
| xi, 316页：图；24cm.-(先进功能材料丛书) |
| ISBN 978-7-03-067440-1：CNY150.00 |
| 本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
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正题名：宽禁带半导体电子材料与器件
索取号：TN304.2/S386
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| 1 | 1573087 | 215730877 | 自科库301/301自科库 26排1列1层/ [索取号:TN304.2/S386] | 在馆 |