书目信息 |
| 题名： |
宽禁带半导体电子材料与器件
|
|
| 作者： | 沈波 ， 唐宁 编著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2021.01 |
|
| 页数： | xi, 316页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 先进功能材料丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN304.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 禁带--jin dai--半导体材料 , 禁带--jin dai--半导体器件 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-067440-1 | |
| 000 | 01301nam 2200313 450 | |
| 001 | 2260438662 | |
| 010 | @a978-7-03-067440-1@dCNY150.00 | |
| 100 | @a20210408d2021 em y0chiy50 ea | |
| 101 | 0 | @achi |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa a 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a宽禁带半导体电子材料与器件@Akuan jin dai ban dao ti dian zi cai liao yu qi jian@f沈波, 唐宁编著 |
| 210 | @a北京@c科学出版社@d2021.01 | |
| 215 | @axi, 316页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a先进功能材料丛书@Axian jin gong neng cai liao cong shu |
| 312 | @a英文题名取自封面 | |
| 314 | @a沈波, 现为北京大学宽禁带半导体研究中心主任。唐宁, 北京大学长聘副教授, 博雅青年学者。 | |
| 320 | @a有书目 | |
| 330 | @a本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a先进功能材料丛书 |
| 510 | 1 | @aElectronic materials and devices of wide band gap semiconductors@zeng |
| 606 | 0 | @a禁带@Ajin dai@x半导体材料 |
| 606 | 0 | @a禁带@Ajin dai@x半导体器件 |
| 690 | @aTN304.2@v5 | |
| 701 | 0 | @a沈波@Ashen bo@4编著 |
| 701 | 0 | @a唐宁@Atang ning@4编著 |
| 801 | 0 | @aCN@c20220906 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN304.2@eS386 | |
| 宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著.-北京：科学出版社，2021.01 |
| xi, 316页：图；24cm.-(先进功能材料丛书) |
| ISBN 978-7-03-067440-1：CNY150.00 |
| 本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：宽禁带半导体电子材料与器件
索取号：TN304.2/S386
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 1573087 | 215730877 | 自科库301/301自科库 19排2列3层/ [索取号:TN304.2/S386] | 在馆 |