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000
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01301nam 2200313 450
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001
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2260438662
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010
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@a978-7-03-067440-1@dCNY150.00
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@a20210408d2021 em y0chiy50 ea
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0
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@achi
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@aCN@b110000
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@aa a 000yy
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@ar
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@a宽禁带半导体电子材料与器件@Akuan jin dai ban dao ti dian zi cai liao yu qi jian@f沈波, 唐宁编著
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@a北京@c科学出版社@d2021.01
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@axi, 316页@c图@d24cm
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@a先进功能材料丛书@Axian jin gong neng cai liao cong shu
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@a英文题名取自封面
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@a沈波, 现为北京大学宽禁带半导体研究中心主任。唐宁, 北京大学长聘副教授, 博雅青年学者。
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@a有书目
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@a本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。
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410
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@12001 @a先进功能材料丛书
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@aElectronic materials and devices of wide band gap semiconductors@zeng
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0
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@a禁带@Ajin dai@x半导体材料
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606
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0
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@a禁带@Ajin dai@x半导体器件
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@aTN304.2@v5
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701
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0
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@a沈波@Ashen bo@4编著
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701
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0
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@a唐宁@Atang ning@4编著
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801
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0
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@aCN@c20220906
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905
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@a河南城建学院图书馆@dTN304.2@eS386
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| 宽禁带半导体电子材料与器件/沈波, 唐宁编著.-北京：科学出版社，2021.01 |
| xi, 316页：图；24cm.-(先进功能材料丛书) |
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| ISBN 978-7-03-067440-1：CNY150.00 |
| 本书系统介绍了Ⅲ族氮化物、SiC、金刚石和Ga2O3四种最重要的宽禁带半导体电子材料和器件, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件等方面论述了其基础物理性质、面临的关键科学技术问题、国内外前沿研究成果和应用前景。 |
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正题名：宽禁带半导体电子材料与器件
索取号：TN304.2/S386
预约/预借
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登录号
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条形码
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馆藏地/架位号
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状态
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备注
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1
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1573087
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215730877
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自科库301/301自科库 26排1列1层/
[索取号:TN304.2/S386]
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在馆
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