书目信息 |
| 题名： |
碳化硅技术基本原理
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| 作者： | 库珀 ， 木本恒畅 著 ；夏经华 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2018.05 |
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| 页数： | XIII, 500页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 新型电力电子器件丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TQ174.75 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 碳化硅陶瓷--tan hua gui tao ci | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-58680-7 | |
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| 330 | @a本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍, 其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷, 器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念, 单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件, 以及碳化硅器件的系统应用, 涵盖了基本概念和新发展现状, 并针对每个主题做深入的阐释, 包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。 | |
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| 碳化硅技术基本原理：生长、表征、器件和应用/(日) 木本恒畅, (美) 詹姆士A.库珀著= Fundamentals of silicon carbide technology：growth, characterization, devices, and applications/Tsunenobu Kimoto, James A. Cooper/夏经华 ... [等] 译.-北京：机械工业出版社，2018.05 |
| XIII, 500页：图；24cm.-(新型电力电子器件丛书) |
| ISBN 978-7-111-58680-7：CNY150.00 |
| 本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍, 其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷, 器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念, 单/双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件, 以及碳化硅器件的系统应用, 涵盖了基本概念和新发展现状, 并针对每个主题做深入的阐释, 包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。 |
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正题名：碳化硅技术基本原理
索取号：TQ174.75/M940
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