书目信息 |
| 题名： |
垂直型GaN和SiC功率器件
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| 作者： | 望月和浩 著 ；黄锋 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2022.07 |
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| 页数： | 12, 217页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 半导体与集成电路关键技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-70502-4 | |
| 000 | 01233oam2 2200289 450 | |
| 001 | 011025154629 | |
| 005 | 20221025154629.0 | |
| 010 | @a978-7-111-70502-4@dCNY99.00 | |
| 100 | @a20201004d2022 em y0chiy0120 ea | |
| 101 | 1 | @achi@cjpn |
| 102 | @aCN@b110000 | |
| 105 | @aa z 000yy | |
| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a垂直型GaN和SiC功率器件@Achui zhi xing GaNhe SiCgong lv qi jian@dVertical GaN and SiC power devices@f(日) 望月和浩著@g黄锋等译@zeng |
| 210 | @a北京@c机械工业出版社@d2022.07 | |
| 215 | @a12, 217页@c图@d24cm | |
| 225 | 2 | @a半导体与集成电路关键技术丛书@Aban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu |
| 300 | @a机工电子 | |
| 305 | @a由Artech House授权出版 | |
| 330 | @a本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖：垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a半导体与集成电路关键技术丛书 |
| 510 | 1 | @aVertical GaN and SiC power devices@zeng |
| 606 | 0 | @a功率半导体器件@Agong lv ban dao ti qi jian |
| 690 | @aTN303@v5 | |
| 701 | 0 | @c(日)@a望月和浩@Awang yue he hao@4著 |
| 702 | 0 | @a黄锋@Ahuang feng@4译 |
| 905 | @a河南城建学院图书馆@dTN303@eW494 | |
| 垂直型GaN和SiC功率器件=Vertical GaN and SiC power devices/(日) 望月和浩著/黄锋等译.-北京：机械工业出版社，2022.07 |
| 12, 217页：图；24cm.-(半导体与集成电路关键技术丛书) |
| 机工电子 |
| ISBN 978-7-111-70502-4：CNY99.00 |
| 本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖：垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。 |
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正题名：垂直型GaN和SiC功率器件
索取号：TN303/W494
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| 1 | 1591090 | 215910904 | 自科库301/301自科库 19排2列1层/ [索取号:TN303/W494] | 在馆 |