书目信息 |
| 题名： |
垂直型GaN和SiC功率器件
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| 作者： | 望月和浩 著 ；黄锋 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 机械工业出版社 2022.07 |
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| 页数： | 12, 217页 | |
| 开本： | 24cm | |
| 丛书名： | 半导体与集成电路关键技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN303 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 功率半导体器件--gong lv ban dao ti qi jian | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-111-70502-4 | |
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| 垂直型GaN和SiC功率器件=Vertical GaN and SiC power devices/(日) 望月和浩著/黄锋等译.-北京：机械工业出版社，2022.07 |
| 12, 217页：图；24cm.-(半导体与集成电路关键技术丛书) |
| 机工电子 |
| ISBN 978-7-111-70502-4：CNY99.00 |
| 本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖：垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。 |
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正题名：垂直型GaN和SiC功率器件
索取号：TN303/W494
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| 1 | 1591090 | 215910904 | 自科库301/301自科库 34排2列1层/ [索取号:TN303/W494] | 在馆 |